[实用新型]一种背接触异质结太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201821457785.5 申请日: 2018-09-06
公开(公告)号: CN208722902U 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 薛俊明;李森;高建军;王燕增;代杰;张金娟;赵学亮;王珊珊;陈金端 申请(专利权)人: 河北汉盛光电科技有限公司
主分类号: H01L31/0747 分类号: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20
代理公司: 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 代理人: 李彤晓
地址: 053800 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 收集区 本征氢化非晶硅 纳米硅层 衬底 氢化 异质结太阳能电池 空穴 衬底背面 电子产生 背接触 非晶 太阳能光伏电池 电子收集电极 空穴收集电极 本实用新型 交替设置 向上设置 转换效率 隔离区 绝缘 生产成本 背面 电池 优化
【权利要求书】:

1.一种背接触异质结太阳能电池,包括衬底(1),其特征在于,在衬底(1)的正面依次向上设置有非晶SiOx层(2)、非晶SiNx层(3),在衬底(1)的背面借助绝缘隔离区(10)间隔、交替设置有电子产生及收集区和空穴产生及收集区,所述电子产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I1(4)、n型氢化纳米硅层(5)、本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、电子收集电极(11);所述的空穴产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、空穴收集电极(12)。

2.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述衬底(1)为n型单晶硅,厚度100~200μm,电阻率为2Ω﹒cm~13Ω﹒cm,晶向为<100>。

3.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述非晶SiOx层(2)的厚度是3~8nm。

4.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述非晶SiNx层(3)的厚度为70~110nm。

5.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述本征氢化非晶硅层I1(4)和本征氢化非晶硅层I2(7)的厚度均为3~8nm。

6.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述n型氢化纳米硅层(5)的厚度为10~30nm。

7.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述p型氢化纳米硅层(8)的厚度为10~30nm。

8.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述ITO层(9)的厚度为80~150nm,方阻为40Ω/□~100Ω/□。

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