[实用新型]一种背接触异质结太阳能电池有效
申请号: | 201821457785.5 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN208722902U | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 薛俊明;李森;高建军;王燕增;代杰;张金娟;赵学亮;王珊珊;陈金端 | 申请(专利权)人: | 河北汉盛光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20 |
代理公司: | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人: | 李彤晓 |
地址: | 053800 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 收集区 本征氢化非晶硅 纳米硅层 衬底 氢化 异质结太阳能电池 空穴 衬底背面 电子产生 背接触 非晶 太阳能光伏电池 电子收集电极 空穴收集电极 本实用新型 交替设置 向上设置 转换效率 隔离区 绝缘 生产成本 背面 电池 优化 | ||
1.一种背接触异质结太阳能电池,包括衬底(1),其特征在于,在衬底(1)的正面依次向上设置有非晶SiOx层(2)、非晶SiNx层(3),在衬底(1)的背面借助绝缘隔离区(10)间隔、交替设置有电子产生及收集区和空穴产生及收集区,所述电子产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I1(4)、n型氢化纳米硅层(5)、本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、电子收集电极(11);所述的空穴产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、空穴收集电极(12)。
2.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述衬底(1)为n型单晶硅,厚度100~200μm,电阻率为2Ω﹒cm~13Ω﹒cm,晶向为<100>。
3.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述非晶SiOx层(2)的厚度是3~8nm。
4.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述非晶SiNx层(3)的厚度为70~110nm。
5.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述本征氢化非晶硅层I1(4)和本征氢化非晶硅层I2(7)的厚度均为3~8nm。
6.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述n型氢化纳米硅层(5)的厚度为10~30nm。
7.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述p型氢化纳米硅层(8)的厚度为10~30nm。
8.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池,其特征在于,所述ITO层(9)的厚度为80~150nm,方阻为40Ω/□~100Ω/□。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的