[实用新型]半导体芯片、半导体芯片电性测试电路有效
申请号: | 201821459275.1 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN208655576U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 电连接点 测试电路 电性测试电路 本实用新型 检测装置 驱动电源 第一端 第一极 半导体技术领域 传输电阻 电性测试 接触电阻 导通 测试 外部 | ||
本实用新型提供了一种半导体芯片、半导体芯片电性测试电路,属于半导体技术领域。该半导体芯片包括:第一电连接点,用于连接开尔文测试电路的驱动电源的第一极;第二电连接点,用于连接所述开尔文测试电路的检测装置的第一端;其中,所述第一电连接点与所述第二电连接点在所述半导体芯片内部相互导通,所述驱动电源的第一极与所述检测装置的第一端处于所述开尔文测试电路的同一侧。本实用新型可以消除半导体芯片外部的接触电阻及传输电阻对电性测试的影响,提高测试的精确度。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体芯片、半导体芯片电性测试电路。
背景技术
在半导体制造工艺中,对未切割的晶圆(Wafer)上的半导体芯片进行电性测试,以及对封装后的半导体芯片进行电性测试,是必不可少的环节。前者称为CP测试(CircuitProbing),后者称为FT测试(Final Test)。
在现有的CP测试中,如图1所示,通常由测试机引出探针卡,探针卡上的探针接触半导体芯片上的焊垫(Pad),测试机通过探针对半导体芯片施加驱动信号,并记录感应信号,得到半导体芯片的电性曲线;在现有的FT测试中,如图2所示,通常由测试机引出载板(Load Board),载板引出插座(Socket),测试机通过插座接触半导体芯片的引脚,以施加驱动信号,并记录感应信号,得到半导体芯片的电性曲线。可见,在上述两种测试中,测试机与半导体芯片之间均经过了多个传导介质,然而引入传导介质将导致额外的接触电阻,例如芯片与探针之间、探针与测试机之间、芯片与插座之间、插座与载板之间的接触电阻等,并且传导介质以及导线本身也存在传输电阻,这些电阻都可能影响实际作用于芯片上的驱动信号以及测试机所记录的感应信号,从而导致电性测试的精确度降低。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体芯片、半导体芯片电性测试电路,进而至少在一定程度上克服现有的半导体芯片电性测试无法达到高精确度的问题。
本实用新型的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本实用新型的实践而习得。
根据本实用新型的一个方面,提供一种半导体芯片,包括:第一电连接点,用于连接开尔文测试电路的驱动电源的第一极;第二电连接点,用于连接所述开尔文测试电路的检测装置的第一端;其中,所述第一电连接点与所述第二电连接点在所述半导体芯片内部相互导通,所述驱动电源的第一极与所述检测装置的第一端处于所述开尔文测试电路的同一侧。
在本实用新型的一种示例性实施例中,还包括:第三电连接点,用于连接所述驱动电源的第二极;第四电连接点,用于连接所述检测装置的第二端;其中,所述第三电连接点与所述第四电连接点在所述半导体芯片内部相互导通。
在本实用新型的一种示例性实施例中,所述半导体芯片为封装芯片,所述第一电连接点为第一驱动引脚,所述第二电连接点为第一感测引脚。
在本实用新型的一种示例性实施例中,所述封装芯片还包括:第一焊垫,用于分别连接所述第一驱动引脚与第一感测引脚。
在本实用新型的一种示例性实施例中,所述封装芯片还包括:第二驱动引脚,用于连接所述驱动电源的第二极;第二感测引脚,用于连接所述检测装置的第二端;第二焊垫,用于分别连接所述第二驱动引脚与第二感测引脚。
在本实用新型的一种示例性实施例中,所述第一焊垫包括第一驱动焊垫与第一感测焊垫;所述第二焊垫包括第二驱动焊垫与第二感测焊垫;所述第一驱动引脚、第一感测引脚、第二驱动引脚与第二感测引脚分别连接所述第一驱动焊垫、第一感测焊垫、第二驱动焊垫与第二感测焊垫;其中,所述第一驱动焊垫与第一感测焊垫在所述封装芯片内部相互导通,所述第二驱动焊垫与第二感测焊垫也在所述封装芯片内部相互导通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造