[实用新型]浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 201821461597.X | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN209045527U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 穆天蕾 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离结构 二氧化硅层 空腔 衬底 半导体 相对介电常数 本实用新型 上表面齐平 沟槽形成 寄生电容 绝缘效果 器件性能 稳定控制 集成度 介质层 上表面 填充 制备 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，具有沟槽，所述沟槽形成于所述半导体衬底中；
第一二氧化硅层，形成于所述沟槽中并与所述沟槽底部之间形成空腔；
第二二氧化硅层，形成于所述第一二氧化硅层的表面，且所述第二二氧化硅层的上表面与所述沟槽上表面齐平。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第一二氧化硅层具有自下而上的空隙，且所述第二二氧化硅层填充所述空隙。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述隔离结构还包括：
热氧化层，形成于所述沟槽的侧壁及底部；
用于氧气隔离的保护层，形成于所述热氧化层表面。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述沟槽的深度介于2900埃～3100埃之间，宽度介于140埃～160埃之间。
5.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述热氧化层包括线性热氧化层，所述线性热氧化层的厚度介于5埃～15埃之间，所述保护层包括线性保护层，所述线性保护层的厚度介于10埃～20埃之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821461597.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
