[实用新型]像素结构以及阵列基板有效
| 申请号： | 201821463382.1 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN208738252U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李新国;郝学光;乔勇;吴新银 | 申请（专利权）人： | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京市北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素结构 漏极区 源极区 晶体管 半导体材料 存储电极 存储电容 像素电极 基底 源层 本实用新型 相对设置 导体化 电连接 沟道区 漏极 | ||
1.一种像素结构，包括基底以及设于所述基底上的存储电极、像素电极、晶体管，所述晶体管的漏极与所述像素电极电连接，其特征在于，
所述晶体管的有源层包括漏极区、源极区、位于所述漏极区和所述源极区之间的沟道区、与所述漏极区连接的存储区，所述存储区与所述存储电极相对设置以构成存储电容的至少一部分；
所述有源层由半导体材料构成，所述漏极区、所述源极区、所述存储区由导体化的半导体材料构成。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述半导体材料为透明半导体材料。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述半导体材料为金属氧化物半导体材料。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料为氧化铟锌锡或氧化铟镓锌。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极设于所述存储区远离所述基底的一侧。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述存储电极与所述晶体管的漏极和源极同层设置，且与所述像素电极相对以形成所述存储电容的至少一部分。
7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：
层间绝缘层，覆盖所述有源层；
所述晶体管的源极和漏极设于所述层间绝缘层远离所述基底一侧，且通过所述层间绝缘层中的第一过孔分别与所述源极区和所述漏极区电连接。
8.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，还包括：
钝化层，覆盖所述晶体管的漏极和源极；
所述像素电极设于所述钝化层远离所述基底一侧，并通过所述钝化层中的第二过孔与所述晶体管的漏极电连接。
9.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：
缓冲层，设于所述有源层与所述基底之间。
10.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述晶体管的栅极绝缘层设于所述有源层远离所述基底一侧，所述晶体管的栅极设于所述栅极绝缘层远离所述基底一侧。
11.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-10中之一的所述像素结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
