[实用新型]温度控制装置和半导体生产设备有效
| 申请号： | 201821464414.X | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN209070395U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/24 | 分类号： | G05D23/24 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体生产设备 气体流量调节器 温度控制装置 温度感测器 控制器 控制信号 预设 半导体生产技术 本实用新型 测量半导体 控制器电 气体流量 生产设备 实时控制 温度保持 电连接 | ||
1.一种温度控制装置，用于控制半导体生产设备的温度，其特征在于，所述温度控制装置包括：
温度感测器，用于测量所述半导体生产设备的实时温度；
控制器，电连接于所述温度感测器，用于接收所述实时温度并将所述实时温度与预设温度范围进行比较，根据比较结果发出控制信号；
气体流量调节器，电连接于所述控制器，用于根据所述控制信号控制通入所述半导体生产设备的气体流量，以使所述半导体生产设备的温度保持在预设温度范围内。
2.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述预设温度范围包括：第一预设温度范围以及第二预设温度范围。
3.根据权利要求2所述的温度控制装置，其特征在于，所述第一预设温度范围为第一设定温度值加减第一误差温度，所述第二预设温度范围为第二设定温度值加减第二误差温度。
4.根据权利要求3所述的温度控制装置，其特征在于，所述第一设定温度值大于等于270℃且小于等于400℃。
5.根据权利要求4所述的温度控制装置，其特征在于，所述第二设定温度值大于第一设定温度值10℃至50℃。
6.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述气体流量调节范围大于等于2050sccm且小于等于10050sccm，吸附晶圆的电压范围大于等于1050volt且小于等于10050volt。
7.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述气体流量调节范围大于等于2000sccm且小于等于10000sccm，吸附晶圆的电压范围大于等于1000volt且小于等于10000volt。
8.一种半导体生产设备，其特征在于，包括：
权利要求1～7任意一项所述的温度控制装置。
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