[实用新型]一种高功率半导体激光热处理装置

权利要求书

1.一种高功率半导体激光热处理装置，其特征在于：所述激光热处理装置包括储能电路、功率变换电路、功率调制控制电路和MCU控制电路；所述储能电路连接开关电源后与所述功率变换电路连接；所述功率变换电路连接发光二极管LD，还分别与所述功率调制控制电路和所述MCU控制电路连接；所述功率调制控制电路也与所述MCU控制电路连接。

2.根据权利要求1所述的高功率半导体激光热处理装置，其特征在于：所述储能电路包括电容C1和电容C2，所述电容C1的正极接在开关电源和所述功率变换电路之间，所述电容C1的负极接地；所述电容C2与所述电容C1并联。

3.根据权利要求2所述的高功率半导体激光热处理装置，其特征在于：所述功率变换电路包括MOS管Q和电流采样电路；开关电源连接所述MOS管Q的D脚，所述MOS管Q的S脚连接发光二极管LD的正极，所述MOS管Q的G脚连接所述功率调制控制电路；所述发光二极管LD的负极连接所述电流采样电路，所述电流采样电路分别接所述MCU控制电路和地端；所述电容C1的正极接在开关电源和所述MOS管Q的D脚之间。

4.根据权利要求3所述的高功率半导体激光热处理装置，其特征在于：所述储能电路通过所述电容C1、电容C2处理并储存开关电源输出的能量后，将所述能量输出给所述功率变换电路的MOS管Q，所述MOS管Q控制发光二极管LD发光实现激光加热；同时，所述电流采样电路对所述发光二极管LD的电流进行采样，并将采样得到的电流反馈给所述MCU控制电路，所述MCU控制电路根据接收的反馈电流并通过所述功率调制控制电路实现对MOS管Q进行实时控制。