[实用新型]废气导入装置

说明书

本实用新型提供一种废气导入装置，包括一加热器一端植入一反应腔室内且坐落于该反应腔室的中心线上，多支废气导入管一端分别与该反应腔室相连通，等数于所述废气导入管的弯折管具有一第一管部及一第二管部，各该第一管部枢设于所述废气导入管内，而使各该第二管部穿探至该反应腔室，其中各该第二管部形成一排气口，各该第二管部的管心线排除与该中心线相交，且各该第二管部的管心线与一水平面之间具有一倾角，使得所述多个排气口能导入废气形成一环状的废气回旋路径；如此，改善废气因接触火焰或热空气的时间有限而导致烧结效果不佳的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体废气处理设备中废气导入反应腔室内的供应技术，特别是有关于一种废气导入装置。

背景技术

周知，半导体制程所生成的废气包含有SiH₄、H₂SiCl₂(DCS)、WF₆、BF₃、NF₃、SF₆、CF₄、C₂F₆C₃F₈等，其中NF₃、SF₆、CF₄、C₂F₆及C₃F₈等归属有害的氟化物(Per FluorinatedCompounds,PFC)，倘若排放至大气中，会造成环境污染，甚至于温室效应，对地球暖化造成严重的影响，因此必须将所述的这些废气处理成无害的气体。

坊间所泛用的半导体废气处理设备，就是用于将上述废气处理成无害的气体。一般而言，已知的半导体废气处理设备都设有废气的反应腔室，半导体制程所生成的废气导入反应腔室内，并且在反应腔室内以火焰或热空气所提供的高温，对所述废气进行烧结(即烧结反应)；特别的，通过高温的烧结反应，可将例如是有害的NF₃、SF₆、CF₄、C₂F₆及C₃F₈等氟化物气体分解成无害的氟离子(F-)，进而达到净化废气的目的。

且知，半导体废气处理设备包含有废气导入管及加热器，其中，废气导入管的一端植入反应腔室而形成有一出口，废气导入管经由其出口而与反应腔室相连通，废气导入管用来导引废气进入反应腔室内。加热器的一端植入反应腔室内而坐落于反应腔室的中央处，加热器是用来在反应腔室的中央处产生火焰或热空气。进一步的说，废气导入管的出口是朝向反应腔室的中央处，使废气流向加热器所产生的火焰或热空气，凭借火焰或热空气的高温来烧结废气。

然而，当废气经由废气导入管的出口导入反应腔室瞬间，由于废气导入管的出口是朝向反应腔室的中央处，使得废气是沿直线路径移动来接触加热器在反应腔室的中央处所产生的火焰或热空气，导致废气接触火焰或热空气的时间有限，乃至于废气的烧结效果不佳，因此，如何增加废气接触火焰或热空气的时间，便成为一项有待克服的技术课题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于改善半导体废气在反应腔室内接触火焰或热空气的时间有限，导致废气的烧结效果不佳的问题。

为达到上述目的，本实用新型提供一种废气导入装置，其特征是包括：

一反应腔室，具有一中心线；

一加热器，其一端植入该反应腔室内且坐落于该中心线上，并且沿该中心线提供一热源进入该反应腔室；

多支废气导入管，其一端分别与该反应腔室相连通；及

等数于所述废气导入管的弯折管，分别具有相互连通形成的一第一管部及一第二管部，各该第一管部沿着一第一管心线延伸形成，各该第二管部沿着一第二管心线延伸形成，且各该第一管部枢设于所述废气导入管内，而使各该第二管部穿探至该反应腔室；