[实用新型]一种背封炉喷头放置工具有效
申请号: | 201821468582.6 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN208781815U | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 张天鹏;张娟娟 | 申请(专利权)人: | 麦斯克电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 逯雪峰 |
地址: | 471000 河南省洛阳*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷头 放置工具 柱孔 背封 喷嘴 竖杆 窄缝 门字型框架 圆形支撑环 喷头支架 对称 垂直 本实用新型 板面中心 拆装维护 弹簧凸块 竖杆顶端 柱孔内壁 穿透板 拆装 杆体 下端 | ||
一种背封炉喷头放置工具,背封炉和放置工具均设置在工作台上,背封炉上设有喷头,喷头前端设有喷嘴,喷头放在放置工具上,放置工具包括门字型框架和喷头支架,门字型框架的板面中心设有保护喷嘴的窄缝;喷头支架包括竖杆和放置喷头的圆形支撑环,圆形支撑环固定在竖杆顶端,且位于窄缝上方,竖杆下端的杆体上对称设有凹槽,窄缝一侧设有垂直且穿透板面的第一柱孔,沿着第一柱孔的径向方向,对称设有垂直第一柱孔内壁的第二柱孔,第二柱孔内设有弹簧凸块,竖杆下端设置在第一柱孔内;本实用新型通过设置放置工具,可以将喷头稳当地放置在工具上面,不会碰撞到喷嘴,便于对喷头进行拆装维护,解决了拆装喷头时无法放置的问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体材料生产技术领域,具体的说是一种背封炉喷头放置工具。
背景技术
半导体硅抛光片生产过程中有一道重要的工艺就是背封工艺,一种重要的背封工艺就是采用常压化学气象淀积(APCVD)原理在硅片背面生长一层二氧化硅薄膜,执行该背封工艺主流设备有一种是常压式背封炉即APCVD背封炉,工作原理如下:将硅片放到履带上,匀速通过喷头下方,喷头喷出硅烷与氧气在硅片表面发生反应,并通过氮气使之与大气进行隔离,适当的气体配合适当的温度在常压环境下进行反应,在硅片背面生成一层二氧化硅薄膜。在生产过程中为保证工艺质量,要经常对喷头进行维护和清洁,此时,要对喷头进行拆装,由于喷头属于精密设备,喷头的喷嘴是一条狭缝并凸出5毫米左右,尤其是喷嘴不能经受碰撞或挤压,如果直接将喷头放置在工作台上,势必会挤压到喷嘴,影响工艺质量,而侧面放置又无法拆装,因此需要设计一种专门用来放置背封炉喷头的工具,将喷嘴保护起来,避免喷嘴受到挤压或碰撞。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述技术问题的不足,本实用新型提出一种背封炉喷头放置工具,可以将喷头稳当地放置在工具上面,不会碰撞到喷嘴,便于对喷头进行拆装维护,解决了拆装喷头时无法放置的问题。
本实用新型为解决上述技术问题的不足而采用的技术方案是:一种背封炉喷头放置工具,背封炉和放置工具均设置在工作台上,所述背封炉上设有喷头,所述喷头前端设有喷嘴,所述喷头放在所述放置工具上,所述放置工具包括门字型框架和喷头支架,所述门字型框架的板面中心设有保护所述喷嘴的窄缝;所述喷头支架包括竖杆和放置所述喷头的圆形支撑环,所述圆形支撑环固定在所述竖杆顶端,且位于所述窄缝上方,所述竖杆下端的杆体上对称设有凹槽,所述窄缝一侧设有垂直且穿透所述板面的第一柱孔,沿着所述第一柱孔的径向方向,对称设有垂直所述第一柱孔内壁的第二柱孔,所述第二柱孔内设有弹簧凸块,所述竖杆下端设置在所述第一柱孔内。
作为优选方案,所述弹簧凸块包括弧形凸块和弹簧,所述弹簧一端固定在所述第二柱孔内壁上,另一端与所述弧形凸块的平面连接,所述弧形凸块的弧面指向所述第一柱孔的中心。
作为优选方案,所述弧形凸块的弧面与所述凹槽相匹配,通过所述凹槽与所述弹簧凸块配合,将所述竖杆卡紧在所述第一柱孔内。
作为优选方案,所述凹槽设有2~4组,每组以所述竖杆的中心轴为对称轴设置在所述竖杆的杆体上。
作为优选方案,所述圆形支撑环的直径小于所述喷头的尺寸。
作为优选方案,所述窄缝的宽度和长度分别大于所述喷嘴的宽度和长度。
作为优选方案,所述圆形支撑环的中心与所述窄缝的中心在工作台上的投影重合。
本实用新型的有益效果是:
(1)本实用新型提供了一种背封炉喷头放置工具,包括门字型框架和喷头支架,门字型框架可以设置在背封炉的工作台上,在门字型框架的板面中心设有窄缝,喷头支架设置在窄缝上方,喷头朝下放置在喷头支架上,将喷嘴放进窄缝内,在对喷头进行维护和清洁时,避免了拆装喷头时对喷嘴造成碰撞或挤压损害,提高了工艺质量和设备稳定性;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造