[实用新型]带加强壁的反应烧结碳化硅陶瓷悬臂桨有效
申请号: | 201821473024.9 | 申请日: | 2018-09-08 |
公开(公告)号: | CN208846967U | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 王明峰;亓锡云;王明祥;石威;李伟强 | 申请(专利权)人: | 潍坊华美精细技术陶瓷股份有限公司 |
主分类号: | F27D3/00 | 分类号: | F27D3/00 |
代理公司: | 潍坊正信致远知识产权代理有限公司 37255 | 代理人: | 石誉虎 |
地址: | 261200 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加强壁 反应烧结碳化硅陶瓷 侧壁 悬臂桨 承托 底壁 承载区 本实用新型 凸出 槽形结构 内侧空间 使用寿命 一体设置 变形量 成槽形 承载量 固定区 过渡区 凸出的 避让 肩处 有向 交汇 生产能力 节约 能源 | ||
本实用新型公开了一种带加强壁的反应烧结碳化硅陶瓷悬臂桨,包括:顺序并一体设置的固定区、过渡区和承载区;承载区包括底壁和设置在底壁两侧的侧壁,底壁与侧壁围成槽形结构,槽形结构的内侧空间形成避让通道,侧壁的顶部向外侧凸出形成承托肩,承托肩设置有向下方凸出的加强壁,加强壁位于侧壁的外侧,且两者在所述承托肩处交汇。本实用新带加强壁的反应烧结碳化硅陶瓷悬臂桨具有承载量大、变形量小、稳定性好、使用寿命长的特点,可有效提高应用领域的生产能力,既节约能源,又降低生产成本。
技术领域
本实用新型涉及悬臂桨技术领域,尤其涉及一种在加热炉中用于生产半导体晶片尤其是光伏晶片的带加强壁的反应烧结碳化硅陶瓷悬臂桨。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的半导体元件产品。晶圆的原始材料是硅,将硅元素提纯,制成高纯度的多晶硅,再把多晶硅融解,于融液里种入籽晶,然后将其慢慢拉出,形成圆柱状的单晶硅晶棒,硅晶棒再经过切段,滚磨,切片,倒角,抛光,激光刻,包装后,即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片,这就是“晶圆”。
在太阳能光伏电池PN结扩散掺杂设备—加热炉和半导体制造业中对硅晶圆片进行热生长氧化的高温氧化加热炉中,硅晶圆片放置在石英舟上进行扩散,而悬臂桨是将承载硅晶圆片的石英舟或碳化硅陶瓷舟移入和移出加热炉的关键装载部件。悬臂桨需要保证晶圆与炉管的同心度,进而使扩散、氧化更均匀,并应具有在高温下无污染、不变形及良好的抗热震稳定性、载重量大等特点,且要避免与炉管直接接触,以利于延长炉管的使用寿命。
现有的悬臂桨承载能力较小,使用过程中变形量较大,且稳定性较差,无法满足应用领域产能的需求。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种带加强壁的反应烧结碳化硅陶瓷悬臂桨,具有承载量大、变形量小、稳定性好、使用寿命长的特点,可有效提高应用领域的生产能力,既节约能源,又降低生产成本。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种带加强壁的反应烧结碳化硅陶瓷悬臂桨,包括:顺序并一体设置的固定区、过渡区和承载区,其特征在于:
所述承载区包括底壁和设置在所述底壁两侧的侧壁,所述底壁与所述侧壁围成槽形结构,所述槽形结构的内侧空间形成避让通道,所述侧壁的顶部向外侧凸出形成承托肩,所述承托肩设置有向下方凸出的加强壁,所述加强壁位于所述侧壁的外侧,且两者在所述承托肩处交汇。
优选的,所述加强壁向下方凸出的高度从所述过渡区到自由端逐渐变小。
优选的,所述加强壁与所述过渡区连接为一体。
优选的,所述承托肩具有承托平面。
优选的,所述底壁、所述侧壁和所述加强壁均为板形结构。
优选的,所述避让通道的横截面为梯形凹槽。
优选的,所述固定区为中空的管形结构。
采用了上述技术方案后,本实用新型的有益效果是:
1)将带加强壁的反应烧结碳化硅陶瓷悬臂桨的承载区近似看作受均布载荷的悬臂梁,由于承托肩设置有向下方凸出的加强壁,所述加强壁位于所述侧壁的外侧,且两者在所述承托肩处交汇,与现有技术相比,本实用新型带加强壁的反应烧结碳化硅陶瓷悬臂桨从整体上提高了其承载能力,减少了其使用过程的变形量。
2)加强壁向下方凸出的高度从所述过渡区到自由端逐渐变小,能够适应“悬臂桨变形时其挠度从过渡区至承载区的自由端逐渐增大”的工况,避免悬臂桨承载区的自由端变形后接触加热炉壁。
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