[实用新型]一种LED结构有效
| 申请号： | 201821478090.5 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN208862013U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王君君;陈志涛;刘宁炀;何晨光;王巧 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 梁香美 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 预应力层 本实用新型 量子阱层 模板层 光提取效率 调控 制作 | ||
1.一种LED结构，其特征在于，所述LED结构包括模板层、预应力层、N型氮化物层、量子阱层以及P型氮化物层，所述模板层、所述预应力层、所述N型氮化物层、所述量子阱层以及所述P型氮化物层逐层面连接，所述预应力层用于调控所述LED结构的应力。
2.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述预应力层包括周期性排布的AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层，其中，x与y的值均大于或等于0.4。
3.如权利要求2所述的LED结构，其特征在于，所述预应力层包括多个AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层，所述AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层交替排布，且x与y的值逐层增大，或逐层减小，或先增大后减小或先减小后增大。
4.如权利要求3所述的LED结构，其特征在于，所述x与y的值成等差数列逐层增大，或逐层减小，或先增大后减小或先减小后增大。
5.如权利要求2所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN层与所述AlyGa1-yN层的厚度均小于100nm。
6.如权利要求2所述的LED结构，其特征在于，x与y的值相等或不相等。
7.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述预应力层的厚度小于100nm。
8.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述模板层包括衬底与缓冲层，所述衬底与所述缓冲层面连接，所述缓冲层与所述预应力层面连接。
9.如权利要求8所述的LED结构，其特征在于，所述衬底至少包括蓝宝石衬底、Si衬底、SiC衬底、GaN单晶衬底或AlN单晶衬底中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省半导体产业技术研究院，未经广东省半导体产业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821478090.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多量子阱结构及其发光二极管
- 下一篇：一种陶瓷荧光集成光源
