[实用新型]高效薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201821480139.0 | 申请日: | 2018-09-11 |
公开(公告)号: | CN208706664U | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 张具琴;郭海松;司小平;栗红霞;尚屹 | 申请(专利权)人: | 黄河科技学院 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 郑州慧广知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41160 | 代理人: | 董晓慧 |
地址: | 450000 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 前电极层 背电极层 导电胶层 吸收层 刻线 本实用新型 太阳能电池 高效薄膜 上端 总线 凹槽延伸 传统电流 双重保护 依次叠加 电极 前电极 并联 衬底 导出 导通 模组 保证 | ||
本实用新型提出了高效薄膜太阳能电池,包括从下到上依次叠加的衬底、前电极层、吸收层和背电极层,背电极层上端的两侧均设置有导电胶层,导电胶层上端设置有总线,下端的背电极层上设置有凹槽,所述凹槽延伸至前电极层,吸收层设置有吸收层刻线,前电极层设置有前电极层刻线,两侧的导电胶层经凹槽与前电极层形成了第二通路,至少一侧的导电胶层由背电极层经吸收层刻线与前电极层形成了第一通路,背电极层同一侧的第一通路和第二通路并联。本实用新型通过导电胶层实现了总线与前电极的连接,在传统电流导通的基础之上形成了电极的第二道通路,实现了双重保护,有利于电流的导出,保证了模组的性能。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种高效薄膜太阳能电池。
背景技术
太阳能作为理想的可再生能源受到了许多国家的重视。对于薄膜太阳能电池的制备工艺中,物理气相沉积(PVD)制造的背接触薄膜叠层,将氧化锌铝(ZnO:Al)和银层用于串联结太阳能电池能够产生最高的底部电池。然而,银与常用的透明氧化物层—铝掺杂的氧化锌(AZO)的粘附性较低。因此,为了减少AZO和银层的界面处的脱层(delamination),通常使用活性金属层。该活性金属层也称作“界面金属层”。该金属层的目的是改善AZO层和银层之间的界面强度(即粘附性)。
目前通过采用焊接工艺将总线连接至背电极层上,但在焊接过程中,背电极层经受高温(大于约220℃)、焊剂材料和潜在的腐蚀性化学物质,这些都会引起AZO和界面金属及银界面之间脱层,焊料痕迹可在太阳能电池前表面看见。此外,高温缩短了用于焊接总线的热电极或相似器件的寿命。因此,需要改进用于将总线附接到薄膜太阳能电池中制备工艺。另外,现有的薄膜太阳能电池总线和前电极层的接触电阻较高,降低了电池的导电性能,不利于电流的导出。
实用新型内容
本实用新型提出一种高效薄膜太阳能电池,性能优良,结构简单,通过导电胶层实现了总线与前电极的连接,在传统电流导通的基础之上形成了薄膜太阳能电池电极的第二道通路,实现了双重保护,有利于电流的导出,保证了模组的性能。
本实用新型的技术方案是这样实现的:高效薄膜太阳能电池,包括从下到上依次叠加的衬底、前电极层、吸收层和背电极层,背电极层上端的两侧均设置有导电胶层,导电胶层上端设置有总线,下端的背电极层上设置有凹槽,所述凹槽延伸至前电极层,吸收层设置有吸收层刻线,前电极层设置有前电极层刻线,两侧的导电胶层经凹槽与前电极层形成了第二通路,至少一侧的导电胶层由背电极层经吸收层刻线与前电极层形成了第一通路,背电极层同一侧的第一通路和第二通路并联。
进一步地,导电胶层为异方性导电胶膜(简写:ACF层),导电胶层的厚度为5-10μm,优选地,导电胶层的厚度为5μm和7.5μm。
进一步地,吸收层的侧端与相邻的吸收层刻线之间对应的前电极层上不设置前电极层刻线。
进一步地,背电极层上设置有背电极层刻线,所述背电极层刻线延伸至前电极层,至少一侧的吸收层侧端与相邻的吸收层刻线之间对应的背电极层上不设置背电极层刻线。
进一步地,背电极层包括从下到上依次叠加的透明氧化物层、界面金属层和背电极。
进一步地,界面金属层包括选自Ni、V、Ti、Au和Pt中的一种或多种金属,界面金属层的厚度为优选地,界面金属层为Ni,界面金属层的厚度为
进一步地,背电极包括选自Ag、Al和Cu中的一种或多种金属,背电极的厚度为100-300nm,优选地,背电极为Ag,背电极的厚度为100nm或200nm。
进一步地,总线包括选自Cu、Al、镀有Ni的Cu、Sn、SnAg中的一种或者多种金属,所述总线的金属组成不同于所述背电极的金属。
进一步地,透明氧化物的厚度为50-200nm,优选地,透明氧化物的厚度为100nm或200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的