[实用新型]一种MOS管尖峰电压抑制电路及开关电源有效
| 申请号： | 201821482628.X | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN209001821U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘岳平 | 申请（专利权）人： | 珠海金波科创电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/32 | 分类号： | H02M1/32 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519060 广东省珠海市香洲区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸收电路 反馈线圈 初级线圈 异名端 开关电源变压器 尖峰电压抑制 本实用新型 二极管 次级线圈 尖峰电压 开关电源 同名端 电路 发热量 连接电源 接地 限幅 电源 帮助 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS管尖峰电压抑制电路，其特征在于：包括电源、MOS管、开关电源变压器、第一吸收电路(1)和第二吸收电路(2)，所述开关电源变压器包括初级线圈N1、反馈线圈N2和次级线圈N3，所述初级线圈N1的异名端经MOS管连接电源，所述初级线圈N1的同名端与第一吸收电路(1)连接，所述反馈线圈N2的同名端接地，所述反馈线圈N2的异名端与第二吸收电路(2)连接，所述反馈线圈N2的异名端还经一消反峰二极管与第一吸收电路(1)连接，所述次级线圈N3连接负载。
2.根据权利要求1所述的MOS管尖峰电压抑制电路，其特征在于：所述第一吸收电路(1)包括电容C1和电阻R1，所述电容C1的一端与初级线圈N1的同名端连接，所述电容C1的另一端与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与MOS管连接。
3.根据权利要求1所述的MOS管尖峰电压抑制电路，其特征在于：所述第二吸收电路(2)包括电容C2，所述电容C2的一端与反馈线圈N2的异名端连接，所述电容C2的另一端与MOS管连接。
4.根据权利要求3所述的MOS管尖峰电压抑制电路，其特征在于：所述电容C2采用高压瓷片电容。
5.一种开关电源，其特征在于：包括权利要求1-4任一所述的MOS管尖峰电压抑制电路。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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