[实用新型]晶圆镀膜设备

说明书

本公开提供一种晶圆镀膜设备。晶圆镀膜设备包括：第一容器，用于盛放第一液体；第二容器，用于盛放第二液体；第一滴注单元，用于滴注第一液体；第二滴注单元，用于滴注第二液体；基座，用于固定晶圆，晶圆具有图案；匀胶机，用于将液体均匀涂覆在晶圆的图案表面；控制器，耦接于第一滴注单元、第二滴注单元以及匀胶机，设置为控制第一滴注单元从第一容器中获取第一用量的第一液体，并将第一液体滴注在晶圆上；控制匀胶机使第一液体均匀涂覆在晶圆的图案表面；控制第二滴注单元从第二容器中获取第二用量的第二液体，并将第二液体滴注在晶圆上；控制匀胶机使第二液体均匀涂覆在晶圆的图案表面。本公开可以克服SOD过程中容易产生空洞的问题。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种晶圆镀膜设备。

背景技术

在众多半导体镀膜技术中，SOD(Spin-On Dielectric，电介质旋转涂覆)镀膜设备由于具有较好的沟槽填充效果而被广泛应用。在SOD工艺过程中，通常使用聚硅氮烷(Poly-Silazane)作为前驱物，并通过溶剂使前驱物溶液进入晶圆上的图案沟槽并填满沟槽。接下来，通过烘烤和退火工艺，使晶圆上涂覆的前驱物溶液的溶剂蒸发，前驱物与氧气发生反应在沟槽中转化为二氧化硅，从而使金属导线得以隔离。

由于半导体元件尺寸的持续减小，沟槽尺寸向高深宽比方向发展。随着沟槽越来越窄，如图1所示，SOD工艺过程中前驱物溶液在沟槽中产生空洞的概率越来越大，而空洞容易导致半导体器件的电气性能不稳定以及可靠性变差，对半导体制造工艺的良品率提出了巨大的挑战。

因此，需要一种能够降低SOD工艺应用在窄沟槽时产生空洞的概率的晶圆镀膜设备。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的目的在于提供一种晶圆镀膜晶圆镀膜设备，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的SOD工艺应用在窄沟槽时产生空洞的问题。

根据本公开实施例的一个方面，提供一种晶圆镀膜设备，包括：

第一容器，用于盛放第一液体；

第二容器，用于盛放第二液体；

第一滴注单元，用于滴注第一液体；

第二滴注单元，用于滴注第二液体；

基座，用于固定晶圆，所述晶圆具有图案；

匀胶机，用于将液体均匀涂覆在所述晶圆的图案表面；

控制器，耦接于所述第一滴注单元、所述第二滴注单元以及所述匀胶机，用于：

控制所述第一滴注单元从所述第一容器中获取第一用量的所述第一液体，并将所述第一液体滴注在所述晶圆上；

控制所述匀胶机使所述第一液体均匀涂覆在所述晶圆的图案表面；

控制所述第二滴注单元从所述第二容器中获取第二用量的所述第二液体，并将所述第二液体滴注在所述晶圆上；

控制所述匀胶机使所述第二液体均匀涂覆在所述晶圆的图案表面。

其中，所述第一液体被滴注和均匀涂覆在所述晶圆上的过程为第一湿润处理，所述第二液体被滴注和均匀涂覆在所述晶圆上的过程为第二湿润处理。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一液体为醚类，所述第二液体为包含醚类和聚硅氮烷的混合溶液。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二液体中聚硅氮烷与醚类的比例为19:81。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一液体为二丁基乙醚，所述第二液体中的醚类为二丁醚。