[实用新型]一种用于银纳米线的涂布装置

说明书

本实用新型公开了一种用于银纳米线的涂布装置，包括：储料机构，用于静置银纳米线浆料；模头机构，用于将所述银纳米线浆料涂布到基体上；所述模头机构与储料机构之间设置有混合组件，和/或模头机构内设置有扰流型流道；所述混合组件和扰流型流道均用于对流过的所述银纳米线浆料扰流，使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。利用本装置在涂布银纳米线浆料时，浆料中的银纳米线经过混合组件和/或扰流型流道后排布紊乱，形成杂乱搭接的效果，从而使得基体线阻变小，进一步的提高了成品导电膜的质量。

技术领域

本实用新型涉及涂布技术领域，具体涉及一种用于银纳米线的涂布装置。

背景技术

透明导电膜中的银纳米线是将金属纳米化涂在光学PET等膜上，一般用在触摸屏上，其中有一个重要的指标-线阻，线阻越小，说明成品透明导电膜的质量越好。该线阻的测量方法是，将涂布完银纳米线涂层的膜切成条状，测量条状上的电阻即为线阻。为使透明导电膜上的线阻小，则涂布在膜上的银纳米线一定是搭接的，涂布的时候搭接方式不统一，银纳米线可以纵向搭接或横向搭接，形成杂乱搭接的方式。

现有的模头出涂料的时候有压力，涂布出的银纳米线会变成有序化的，就不能产生杂乱搭接的效果。

因此，现有技术有待提高和改进。

实用新型内容

本申请旨在提供一种用于银纳米线的涂布装置，使涂布的银纳米线杂乱搭接，以降低成品导电膜的线阻。

本申请提供了一种用于银纳米线的涂布装置，包括：

储料机构，用于静置银纳米线浆料；

模头机构，用于将所述银纳米线浆料涂布到基体上；所述模头机构与储料机构之间设置有混合组件，和/或模头机构内设置有扰流型流道；所述混合组件和扰流型流道均用于对流过的所述银纳米线浆料扰流，使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。

所述的涂布装置，其中，所述模头机构的内部具有用于传输所述银纳米线浆料的通道、入料口、空腔室、以及用于涂布银纳米线浆料的出料口，所述入料口通过所述通道依次将空腔室、扰流型流道、出料口串联连通；所述扰流型流道包括：扰动区，以及连通于所述扰动区的混合区，所述扰动区连通所述空腔室，所述混合区连通所述出料口；所述银纳米线浆料经所述扰动区扰流后，再经所述混合区混合。

所述的涂布装置，其中，所述模头机构包括相互扣合的上模头和下模头；所述上模头与所述下模头通过各自的接触面与对方接触，其中至少一个所述接触面上设置有凹槽，所述凹槽和另一个接触面形成所述扰流型流道。

所述的涂布装置，其中，所述模头机构包括上模头、垫片和下模头，所述上模头通过所述垫片与下模头扣合，所述垫片处于所述上模头和所述下模头之间；所述上模头和/或所述下模头与垫片接触的接触面上设置有凹槽，所述凹槽和所述垫片接触形成所述扰流型流道。

所述的涂布装置，其中，所述扰流型流道至少一个侧壁上设置有多个并联的沟道单元，沟道单元用于扰流；所述沟道单元位于所述凹槽的底部或垫片上。。

所述的涂布装置，其中，所述沟道单元包括：至少两个相交汇流的第一沟道和第二沟道，以及设置汇流方向上的第三沟道；所述第一沟道和所述第二沟道的沟道入口连通所述空腔室，用于扰流；所述第一沟道和所述第二沟道的沟道出口汇流并连通所述第三沟道的沟道入口；所述第三沟道的沟道出口与所述混合区连通；所述第三沟道在浆料流动方向上的截面积逐渐增大。

所述的涂布装置，其中，还包括供料泵；所述供料泵的进泵口与所述储料机构的出口管道连接，所述供料泵的出泵口与所述模头机构管道连接；所述供料泵用于将所述储料机构存储的银纳米线浆料泵送至所述模头机构。

所述的涂布装置，其中，所述模头机构与储料机构之间设置有混合组件，所述供料泵的出泵口通过所述混合组件与所述模头机构连接；所述混合组件用于使银纳米线浆料中的银纳米线排布紊乱。