[实用新型]界面缺陷表征结构及界面缺陷检测装置有效
| 申请号： | 201821484626.4 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN208674068U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮;韩坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极层 界面缺陷 栅介质层 表征结构 本实用新型 检测装置 半导体制造技术 沟道宽度方向 衬底表面 离子类型 相对两侧 掺杂的 衬底 | ||
1.一种界面缺陷表征结构，其特征在于，包括：
衬底；
栅介质层，位于所述衬底表面；
栅极层，包括位于所述栅介质层表面的第一栅极层和位于所述栅介质层沿沟道宽度方向上的相对两侧的第二栅极层，所述第一栅极层与所述第二栅极层掺杂的离子类型相反。
2.根据权利要求1所述的界面缺陷表征结构，其特征在于，所述衬底内具有掺杂区；
所述掺杂区与所述栅介质层对应设置，且与所述第二栅极层所掺杂的离子类型相同。
3.根据权利要求1所述的界面缺陷表征结构，其特征在于，还包括：
第一导电插塞，一端与所述衬底接触、另一端用于接收第一检测电信号；
第二导电插塞，一端与所述第一栅极层接触、另一端用于接收第二检测电信号；
第三导电插塞，一端与所述第二栅极层接触、另一端用于接收第三检测电信号。
4.根据权利要求2所述的界面缺陷表征结构，其特征在于，所述掺杂区与所述第二栅极层均为p-型离子掺杂，所述第一栅极层为n-型离子掺杂。
5.根据权利要求2所述的界面缺陷表征结构，其特征在于，所述掺杂区与所述第二栅极层均为n-型离子掺杂，所述第一栅极层为p-型离子掺杂。
6.根据权利要求4或5所述的界面缺陷表征结构，其特征在于，所述掺杂区的离子掺杂浓度大于所述第二栅极层的离子掺杂浓度。
7.根据权利要求4或5所述的界面缺陷表征结构，其特征在于，所述第一栅极层的离子掺杂浓度与所述第二栅极层的离子掺杂浓度相同。
8.根据权利要求1所述的界面缺陷表征结构，其特征在于，还包括：
位于所述衬底内的浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区位于所述栅介质层沿所述沟道宽度方向上的相对两侧；
所述第二栅极层至少部分覆盖所述浅沟槽隔离区。
9.一种界面缺陷检测装置，用于对如上述权利要求1-8中任一项所述的界面缺陷表征结构进行界面缺陷检测，其特征在于，包括：
检测部，用于分别向所述衬底、所述第一栅极层、所述第二栅极层施加电信号，以检测所述栅介质层与所述第一栅极层接触界面的缺陷密度。
10.根据权利要求9所述的界面缺陷检测装置，其特征在于，所述检测部为电荷泵。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
