[实用新型]反熔丝结构

说明书

本实用新型提供了一种反熔丝结构，在隔离结构圈起的衬底中形成有功能阱及第一底部隔离阱，功能阱自衬底上表面延伸至衬底中，第一底部隔离阱同图形位于功能阱的下方，在与第一离子注入工艺图案互补的衬底中形成有侧部隔离阱及第二底部隔离阱，侧部隔离阱自衬底上表面延伸至衬底中并包覆隔离结构，第二底部隔离阱同图形位于侧部隔离阱的下方，第一底部隔离阱、侧部隔离阱和第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，和功能阱分属不同离子注入类型，第一底部隔离阱和第二底部隔离阱相连成底部隔离阱组合层，由此能够得到低制造成本的反熔丝结构。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种反熔丝结构。

背景技术

当半导体器件中的至少一个单位单元在制造工序中出现缺陷或故障时，不能将半导体器件用作存储器件。具有至少一个故障单位单元的存储器则被归类为有缺陷的产品，并导致生产效率降低。因此，已开发出用冗余单元来替换有缺陷的单元以修复存储器件中的有缺陷的单元的技术。例如，一种类型的存储器电路包括存储器单元的动态随机存取存储器(DRAM)阵列，存储器单元以行和列排布，行和列的每一者可定址以用于存储信息位。如果在制造出存储器件之后的试验操作中检测出有缺陷的单元，则在存储器件的内部电路中执行写入操作，将有缺陷的单元更换为冗余单元。

目前，主要是通过在存储器中设计熔丝结构和/或反熔丝结构来实现冗余单元的选择。通过熔丝结构来修复半导体器件的方法是在晶片级执行写入修复工序，而不能应用于已封装的半导体器件，且随着半导体集成度的逐渐提高，熔丝结构受限于激光束的光斑尺寸，所以现有修复方式更多的选择反熔丝结构。

反熔丝结构的修复方式为，在未写入时，反熔丝通常是不导电的(高阻)，而当在反熔丝上施加的电压超过某个值时，反熔丝导通变成导体。未写入的反熔丝等效于一个电容，在进行读取操作时，电流极小或为零；写入的反熔丝等效于一个电阻，在进行读取操作时，电流会有显著的增大。反熔丝结构选择性地将电路的部分连接在一起，从而可以将先前未连接的器件使用到电路中完成修复工序。

现有工艺中，反熔丝结构的制造成本居高不下，因此如何降低反熔丝结构的制造成本成了本领域技术人员一直以来希求解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种反熔丝结构，以解决现有技术中反熔丝结构的制造成本居高不下的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种反熔丝结构，包括：

一衬底，所述衬底中形成有多个隔离结构，所述隔离结构自所述衬底上表面延伸至所述衬底中，所述隔离结构呈环形并圈起部分所述衬底；

一功能阱，形成在所述隔离结构圈起的所述衬底中，所述功能阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中；

一第一底部隔离阱，形成在所述隔离结构圈起的所述衬底中，所述第一底部隔离阱同图形位于所述功能阱的下方，其中所述功能阱和所述第一底部隔离阱分属不同离子注入类型；

一侧部隔离阱，与所述功能阱图案互补方式形成在所述衬底中，所述侧部隔离阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中并包覆所述隔离结构，以隔离相邻的所述功能阱；

一第二底部隔离阱，形成在所述衬底中，所述第二底部隔离阱同图形位于所述侧部隔离阱的下方，其中所述第一底部隔离阱、所述侧部隔离阱和所述第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，所述第一底部隔离阱和所述第二底部隔离阱相连成一底部隔离阱组合层；及

一反熔丝，所述反熔丝形成在所述功能阱上。

可选的，在所述的反熔丝结构中，所述功能阱和所述侧部隔离阱在所述衬底中的深度相同，所述第一底部隔离阱和所述第二底部隔离阱在所述衬底中的深度相同。

可选的，在所述的反熔丝结构中，所述衬底上形成有一介质层，所述介质层覆盖所述功能阱；所述反熔丝包括：