[实用新型]P型PERC电池结构

说明书

本实用新型公开了一种P型PERC电池结构，包括硅片层(1)以及依次设于硅片层(1)正面的氧化硅层(2)、氮化硅层(3)和正电极(4)，其特征在于所述硅片层(1)的背面依次设有背氧化铝层(5)、第一背氧化硅层(6)、背氮化硅层(7)、第二背氧化硅层(8)和背电极(9)；通孔(10)贯穿第二背氧化硅层(8)、背氮化硅层(7)、第一背氧化硅层(6)和背氧化铝层(5)并延伸至硅片层(1)中；通孔(10)中填充背电极(9)。第一背氧化硅层SiOx、背氮化硅层SiNx和第二背氧化硅层SiOx组成ONO叠层膜，ONO的氮化硅层居SiNx中可阻挡缺陷延展，三层膜互补，降低背表面复合速率。

技术领域

本实用新型主要涉及太阳能电池行业，主要是P型PERC电池。

背景技术

P型PERC工艺越加成熟，传统工艺路线为制绒、P扩散、刻蚀、退火、PECVD背氧化铝、背氮化硅镀膜、PECVD正氮化硅镀膜、激光、二次印刷、烧结成型，传统PERC电池的膜层结构如图1所示，量产效率可达到21.5％，市场需求更加高效电池。

实用新型内容

本实用新型为提供一种高效电池以满足市场需求，提出了一种改进的P型PERC电池结构。

技术方案：

一种P型PERC电池结构，包括硅片层以及依次设于硅片层正面的氧化硅层、氮化硅层和正电极，所述硅片层的背面依次设有背氧化铝层、第一背氧化硅层、背氮化硅层、第二背氧化硅层和背电极；通孔贯穿第二背氧化硅层、背氮化硅层、第一背氧化硅层和背氧化铝层并延伸至硅片层中；通孔中填充背电极。

具体的，所述背氧化铝层的厚度为6nm。

具体的，所述第一背氧化硅层的厚度为10nm。

具体的，所述背氮化硅层的厚度为40nm。

具体的，所述第二背氧化硅层的厚度为20nm。

具体的，所述通孔的直径为28um。

所述第二背氧化硅层是经过H钝化后的SiOx膜。

本实用新型的有益效果

第一背氧化硅层SiOx、背氮化硅层SiNx和第二背氧化硅层SiOx组成ONO叠层膜，具备以下效果：

-ONO氮化硅层居SiNx中可阻挡缺陷延展，三层膜互补，降低背表面复合速率。

-ONO底层SiOx膜进一步H钝化，同时阻隔AlOx层中的H往外释放，增加背表面钝化效果。

-氧化铝层AlOx镀膜后，覆盖第一背氧化硅层SiOx，背面固定负电荷量增加，提高场钝化效果。

附图说明

图1为背景技术中传统膜层结构图。

图2为本实用新型的膜层结构图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步说明，但本实用新型的保护范围不限于此：

结合图2一种P型PERC电池结构，包括硅片层1以及依次设于硅片层1正面的氧化硅层SiOx2、氮化硅层SiNx3和正电极Ag4，所述硅片层1的背面依次设有背氧化铝层AlOx5、第一背氧化硅层SiOx6、背氮化硅层SiNx7、第二背氧化硅层SiOx8和背电极Al BSF9；通孔10贯穿第二背氧化硅层SiOx8、背氮化硅层SiNx7、第一背氧化硅层SiOx6和背氧化铝层AlOx5并延伸至硅片层1中；通孔10中填充背电极Al BSF9。背氧化铝层AlOx5的厚度为6nm。第一背氧化硅层SiOx6的厚度为10nm。背氮化硅层SiNx7的厚度为40nm。第二背氧化硅层SiOx8的厚度为20nm。通孔10的直径为28um。第二背氧化硅层SiOx8是经过H钝化后的SiOx膜。