[实用新型]一种双排结构内绝缘型塑封半导体器件

说明书

本实用新型公开了一种双排结构内绝缘型塑封半导体器件，包括双排散热片架、引线脚架、可控硅芯片、铜片、塑封料。双排散热片架与引线脚架之间设置有DBC陶瓷片，可控硅芯片阳极面置于引线脚架的凸台上，阴极区与引线脚架的CLIP焊接定位平台连接。铜片采取双排双列结构，置于可控硅芯片上。塑封料封装在双排散热片架、DBC陶瓷片、引线脚架、可控硅芯片、铜片外侧。本实用新型散热片架采用双排结构，克服单排框架的侧弯问题；引线脚架增加定位凸台，有效防止CLIP偏转移位；双排散热片架、引线脚架设计焊接排气槽，有利于焊接气泡排出；DBC陶瓷片结合力高、导热能力强，产品散热快。

技术领域

本实用新型涉及功率半导体器件领域，特别涉及一种双排结构内绝缘型塑封半导体器件。

背景技术

电子设备已经成为人们生活中不可或缺的一部分，半导体是电子设备中的重要部分之一。目前市场上的内绝缘型塑封半导体器件，都是单排结构，制作过程中铜片无定位设计，焊接位置不准确，单排散热片架结构在制作时框架侧弯及变形，从而良率较低、可靠性较差。

实用新型内容

本实用新型的目的是在于提供一种双排结构内绝缘型塑封半导体器件，以解决生产时焊接位置不准确，散热片架容易侧弯或变形，可控硅芯片、铜片容易旋转偏移等问题。

为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案实现：一种双排结构内绝缘型塑封半导体器件，包括双排散热片架、引线脚架、可控硅芯片、铜片、塑封料，其特征在于：所述双排散热片架与引线脚架之间设置有DBC陶瓷片，所述可控硅芯片置于引线脚架上，所述铜片置于可控硅芯片上，所述铜片采取双排双列结构，所述塑封料封装在双排散热片架、DBC陶瓷片、引线脚架、可控硅芯片、铜片外侧。

所述双排散热片架包括散热片架连接筋、双排散热片架焊接排气槽、防水槽、结合力增强反压台，所述散热片架连接筋位于双排散热片架两侧，所述双排散热片架焊接排气槽位于双排散热片架另外两侧，所述双排散热片架焊接排气槽为V型，深度为0.02-0.06mm，所述结合力增强反压台位于双排散热片架焊接排气槽外侧，所述防水槽位于双排散热片架与双排散热片架焊接排气槽之间，所述双排散热片架通过散热片架连接筋相互连接。

所述引线脚架上设有环形冲胶孔、凸台、引线脚架焊接排气槽、CLIP焊接定位平台、外引线脚，所述凸台高出CLIP焊接定位平台0.10-0.20mm所述引线脚架焊接排气槽为V型，深度为0.02-0.06mm。

所述可控硅芯片表面镀有银层，所述可控硅芯片为阳极面朝下，置于引线脚架的凸台上，所述可控硅芯片阴极区与引线脚架的CLIP焊接定位平台通过连接桥片连接。

本实用新型的有益效果：在本实用新型中，散热片架采用双排结构，克服单排框架的侧弯问题，提高生产效率；引线脚架管脚上增加双排双方向CLIP焊接定位凸台，并有效防止CLIP在烧结过程中偏转移位，CLIP焊接定位准确，空洞率低、产品稳定性好、良率高；塑封时采取管脚进胶的方式，浇口可以通过环形冲胶孔去除；引线脚架装芯片区域设计焊接排气槽，有利于焊接气泡排出，降低焊接空洞率；框架组立效率高、锡膏低残留免清洗，减少清洗步骤；DBC陶瓷片结合力高、导热能力强，产品散热快。

附图说明

图1为本实用新型的侧视图。

图2为本实用新型的双排散热片架示意图。

图3为本实用新型的引线脚架示意图。

图4为本实用新型的铜片示意图。

其中：1、双排散热片架，2、DBC陶瓷片，3、引线脚架，4、可控硅芯片，5、铜片，6、塑封料，7、散热片架连接筋，8、双排散热片架焊接排气槽，9、防水槽，10、结合力增强反压台，11、环形冲胶孔，12、凸台，13、引线脚架焊接排气槽，14、CLIP焊接定位平台，15、外引线脚。

具体实施方式