[实用新型]一种IGBT驱动信号电平转换装置有效
申请号: | 201821494037.4 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN208754265U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 徐杰;黄时棚;钟悦;王程;童占北;段名荣 | 申请(专利权)人: | 安徽工程大学 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K17/567 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 朱圣荣 |
地址: | 241000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平转换模块 高电平 电平转换装置 外围电路 本实用新型 输出 电压差 故障率 转换 驱动 配合 | ||
本实用新型公开了一种IGBT驱动信号电平转换装置,包括:外围电路、IGBT驱动模块和PWM输出模块,所述IGBT驱动模块分别与所述外围电路、PWM输出模块连接,所述电平转换装置还包括电平转换模块,所述IGBT驱动模块经所述电平转换模块与所述PWM输出模块连接,其中,所述电平转换模块用于将所述PWM输出模块输出的高电平为3.3V的PWM信号转换为高电平为5V的PWM信号,并输入至所述IGBT驱动模块。本实用新型通过电平转换模块将PWM输出模块输出的高电平为3.3V的PWM信号转换为高电平为5V的PWM信号,弥补PWM输出模块与IGBT驱动模块之间的电压差,不仅可以使IGBT驱动模块和PWM输出模块更好地配合工作,降低故障率,还可以驱动外围电路正常工作。
技术领域
本实用新型涉及动态电压恢复器设备领域,特别涉及一种IGBT驱动信号电平转换装置。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。现有技术中,IGBT驱动模块往往直接和具备PWM信号输出功能的设备连接,比如DSP2812处理器。DSP2812处理器输出的PWM信号的高电平只有通用的3.3V,而IGBT驱动模块的工作电压为3.3V-5.5V之间。随着电力电子技术的发展,越来越多的高新技术设备对电能质量的要求越来越高,电压跌落对敏感负载会造成极大的影响。虽然直接与DSP2812处理器连接,也能使IGBT驱动模块工作,但是这种电压差的存在使得IGBT驱动模块和外围电路中的负载经常被烧毁,出现故障的概率过高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种IGBT驱动信号电平转换装置,将高电平为3.3V的PWM信号转换为高电平为5V的PWM信号,使IGBT驱动模块和外围电路更好地工作。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
IGBT驱动信号电平转换装置,包括:外围电路、IGBT驱动模块和PWM输出模块,所述IGBT驱动模块分别与所述外围电路、PWM输出模块连接,所述电平转换装置还包括电平转换模块,所述IGBT驱动模块经所述电平转换模块与所述PWM输出模块连接,其中,所述电平转换模块用于将所述PWM输出模块输出的高电平为3.3V的PWM信号转换为高电平为5V的PWM信号,并输入至所述IGBT驱动模块。
所述电平转换模块包括与门电路、稳压单元,所述与门电路的两个输入端相互连接,所述稳压单元的输入端与15V电源连接,所述稳压单元的输出端经电阻与所述与门电路的输入端连接,所述稳压单元的接地端接地,所述与门电路的输入端还与所述PWM输出模块的PWM接口连接,所述与门电路的输出端与所述IGBT驱动模块连接。
所述与门电路数量为四个。
所述与门电路为74LS08芯片,所述芯片的数量为两个。
所述电阻的阻值为10K欧姆,所述电阻的数量为四个。
所述稳压单元的型号为LM7805。
所述电平转换模块还包括插座,所述插座的接口1与所述稳压单元的输入端连接,所述插座的接口2接地,所述插座的接口3、接口4分别与所述PWM输出模块的PWM接口连接。
所述插座的数量为两个。
所述电平转换模块还包括插排,所述与门电路的输出端经插排与所述IGBT驱动模块连接,所述插排的数量为两个。
所述PWM输出模块为DSP2812处理器。
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