[实用新型]一种过流、短路保护电路及开关电源

说明书

本实用新型涉及一种过流、短路保护电路及开关电源，包括控制芯片U1、及分别与控制芯片U1连接的MOS管Q1和光耦U2，还包括三极管Q2和三极管Q3，所述三极管Q3的基极与光耦U2的反馈信号端连接，所述三极管Q3的集电极与控制芯片U1连接，所述三极管Q3的发射极与三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极与控制芯片U1连接。本实用新型通过增加的两三极管辅助电路进行过流、短路保护，在一些元器件有差异的情况下，也不会存在保护不周的情况，且方便生产。

技术领域

本实用新型涉及开关电源的技术领域，尤其是一种过流、短路保护电路及包括所述过流、短路保护电路的开关电源。

背景技术

目前，过流、短路保护电路一般是通过在MOS管的源极串联一个电阻，把信号传送到控制芯片来实现保护，由于元器件的差异，总有一些电源不能很好的保护，这时就需要调节串联在MOS管源极的电阻，给生产带来了麻烦。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的之一是提供一种过流、短路保护电路，另一目的是提供一种具有所述过流、短路保护电路的开关电源，解决现有过流、短路保护电路不适用的技术问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种过流、短路保护电路，包括控制芯片U1、及分别与控制芯片U1连接的MOS管Q1和光耦U2，还包括三极管Q2和三极管Q3，所述三极管Q3的基极与光耦U2的反馈信号端连接，所述三极管Q3的集电极与控制芯片U1连接，所述三极管Q3的发射极与三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极与控制芯片U1连接。

进一步，还包括电容C3，所述电容C3采用电解电容，所述电容C3的正极与三极管Q3的集电极连接，所述电容C3的负极与三极管Q3的发射极连接。

进一步，还包括电容C14，所述电容C14的一端与三极管Q2的集电极连接，所述电容C14的另一端与三极管Q2的发射极连接。

进一步，还包括电阻R13，所述电阻R13的一端与三极管Q3的集电极连接，所述电阻R13的另一端与控制芯片U1连接。

进一步，还包括电阻R17，所述电阻R17的一端与三极管Q3的基极连接，所述电阻R17的另一端与光耦U2的反馈信号端连接。

进一步，还包括电阻R16和电阻R18，所述电阻R16的一端接地，所述电阻R16的另一端与电阻R18的一端连接，所述电阻R16的另一端还与光耦U2的反馈信号端连接，所述电阻R18的另一端与控制芯片U1连接。

进一步，还包括二极管D3，所述二极管D3的阳极与光耦U2的反馈信号端连接，所述二极管D3的阴极与电阻R16的另一端连接。

进一步，还包括电阻R4、电阻R2和电阻R3，所述电阻R2和电阻R3串联，所述MOS管Q1的源极经电阻R2和电阻R3与控制芯片U1连接，所述MOS管Q1的源极经电阻R4接地。

进一步，还包括电容C12，所述电容C12的一端分别与电阻R3和控制芯片U1连接，所述电容C12的另一端接地。

一种开关电源，包括所述过流、短路保护电路。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过增加的两三极管辅助电路进行过流、短路保护，在一些元器件有差异的情况下，也不会存在保护不周的情况，且方便生产。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步描述：

图1是过流、短路保护电路的电路图。

具体实施方式