[实用新型]多主栅太阳能电池正电极图形有效
申请号: | 201821498179.8 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN208781859U | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 张华灿;房强;王军;赵钊 | 申请(专利权)人: | 北京太阳能电力研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 100033 北京市西城区广*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 副栅线 主栅线 渐近线 太阳能电池片 本实用新型 正电极图形 太阳能电池 主栅 光电转换效率 串联电阻 电池片 相接处 受光 生产成本 平行 垂直 | ||
1.多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,包括:
多条主栅线,其间隔设置,且相互平行;
多条第一副栅线,其间隔设置,任一第一副栅线与任一主栅线垂直,且相接;
多条渐近线,每条主栅线和各条第一副栅线的相接处均设置有至少一条渐近线,渐近线和与其对应的主栅线和第一副栅线均连接。
2.如权利要求1所述的多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,每条主栅线和各条第一副栅线的相接处均设置有一对渐近线,一对渐近线相对于与其对应的主栅线对称设置,各条主栅线的两个末端处的渐近线均为直角三角形,其他处的渐近线均为等腰梯形,直角三角形的渐近线的两条直角边分别和与其对应的主栅线,以及第一副栅线相连,等腰梯形的渐近线的轴线和与其对应的第一副栅线的轴线重合,且等腰梯形的渐近线的下底和与其对应的主栅线相连,上底和与其对应的第一副栅线的宽度相等,且和与其对应的第一副栅线相连。
3.如权利要求1所述的多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,还包括:
多条第二副栅线,任意两条相邻的主栅线间均设置有一条第二副栅线,第二副栅线与主栅线平行,且与各条第一副栅线均相接;
其中,第一副栅线的条数为N条,当N为偶数,且N≥4时,第二副栅线被所述多条第一副栅线分隔成N/2条小段,且相邻的两条小段间设置有两根第一副栅线,与主栅线的两个末端相接的两条第一副栅线和与其相邻的第一副栅线间均设置有一条小段;当N为奇数,且N≥7时,第二副栅线被所述多条第一副栅线分隔成(N-1)/2条小段,位于中间的小段穿过位于中间的第一副栅线,且其两端延伸至与位于中间的第一副栅线相邻的两条第一副栅线连接,但未穿过与位于中间的第一副栅线相邻的两条第一副栅线,相邻的两条小段间设置有两根第一副栅线。
4.如权利要求1所述的多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,还包括:
两条第三副栅线,所述多条主栅线位于两条第三副栅线之间,任一第三副栅线与任一主栅线平行,并分别与所述多条第一副栅线相接。
5.如权利要求1所述的多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,所述主栅线由多段实心段和多段空心段交错组成,主栅线上位于两端的部分为空心段,第一副栅线穿过与其相接的空心段。
6.如权利要求1所述的多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,还包括:
两条边框,所述多条第一副栅线位于两条边框之间,任一边框与任一主栅线平行,边框上沿其长度方向间隔设置的两端分别与位于最外侧的两条第一副栅线间形成倒角,边框的长度与位于最外侧的第一副栅线的长度相等,所述边框的宽度为0.03mm,边框和与其相邻的主栅线间的距离为12.42mm。
7.如权利要求2所述的多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,所述主栅线的条数为六条,六条主栅线等间隔设置,相邻的两条主栅线的轴线间的距离为26mm,主栅线的宽度为0.5mm,长度为155.4mm;第一副栅线的条数为115条,多条第一副栅线等间隔设置,第一副栅线的宽度为0.03mm,相邻的两条第一副栅线间的距离为151.95/114mm;直角三角形的渐近线上和与其对应的第一副栅线相连的直角边的长度为0.8mm,与主栅线相连的直角边的长度为0.06mm,等腰梯形的渐近线的高为0.8mm,下底的长度为0.15mm。
8.如权利要求3所述的多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,任一第二副栅线到与其相邻的两条主栅线间的距离均为12.735mm,第二副栅线的宽度为0.03mm。
9.如权利要求5所述的多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,主栅线的宽度为0.5mm,主栅线上位于两端的空心段的空心部分的宽度均为0.2mm,长度均为6.816mm,其他空心段的空心部分的宽度均为0.3mm,长度均为8.5mm,与主栅线上位于两端的空心段相连的两段实心段的长度为11.134mm,其他实心段的长度均为10mm。
10.如权利要求4所述的多主栅太阳能电池正电极图形,其特征在于,所述第三副栅线的宽度为0.03mm,第三副栅线和与其相邻的主栅线间的距离为6.195mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的