[实用新型]涂敷处理装置有效
申请号: | 201821505787.7 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN209216927U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 上村良一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拉丝 处理液 晶片 涂敷处理装置 周缘部 本实用新型 基片保持部 抗蚀剂液 拉丝处理 升降机构 内罩体 上表面 附着 涂敷 外方 延伸 移动 预防 | ||
1.一种涂敷处理装置,其向基片的表面供给粘度高的处理液来形成涂敷膜,所述涂敷处理装置的特征在于,包括:
将基片保持为水平并使该基片绕铅垂轴旋转的基片保持部;
包围保持于所述基片保持部上的基片的周围的外罩体;
在所述罩体的内部设置于与基片背面相对的位置的内罩体;和
液体捕获机构,其用于捕获供给到所述基片的处理液因由旋转产生的离心力流出到比所述基片周缘部靠外侧的所述处理液。
2.如权利要求1所述的涂敷处理装置,其特征在于:
由所述液体捕获机构捕获的处理液是从所述基片周缘部呈线状延伸的处理液。
3.如权利要求1所述的涂敷处理装置,其特征在于:
所述液体捕获机构包括移动机构,该移动机构能够使所述液体捕获机构在基片保持于所述基片保持部时的基片的周缘端部附近,相对于所述内罩体或者外罩体移动或者进退。
4.如权利要求1至3中任一项所述的涂敷处理装置,其特征在于:
所述液体捕获机构构成为棒状。
5.如权利要求3所述的涂敷处理装置,其特征在于:
从所述内罩体朝向上方移动的液体捕获机构的顶部的高度,在所述液体捕获机构上升结束时,比保持于所述基片保持部的基片的表面高。
6.如权利要求3所述的涂敷处理装置,其特征在于:
从所述外罩体朝向基片在水平方向进退的液体捕获机构的顶端,具有与基片相同的厚度或者其以上的厚度。
7.如权利要求3所述的涂敷处理装置,其特征在于:
从所述外罩体朝向下方移动的液体捕获机构的顶端,在所述液体捕获机构下降结束时,位于比所述基片的背面侧的表面更靠下的位置。
8.如权利要求1所述的涂敷处理装置,其特征在于:
所述液体捕获机构包括:
以包围保持于所述基片保持部时的基片的周缘端部的方式配置的、具有比所述基片的直径大的内径的环状体;和
升降机构,其能够使所述环状体的顶部上升至保持于所述基片保持部时的基片的表面以上的高度。
9.如权利要求8所述的涂敷处理装置,其特征在于:
所述环状体的纵截面的顶部为三角形的顶点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造