[实用新型]一种电极体密封结构

说明书

本实用新型公开一种电极体密封结构，包括：穿过炉体底盘的电极体，上密封垫，下密封垫，套设于所述电极体外的内绝缘环和外绝缘环；所述电极体头部的外缘面有部分向外凸起形成的凸缘部；所述内绝缘环和所述外绝缘环设于所述凸缘部之下，所述外绝缘环设于所述炉体底盘之上；所述内绝缘环上部设于所述电极体与所述外绝缘环之间，所述内绝缘环下部设于所述电极体与所述炉体底盘之间；所述外绝热环的上表面与所述凸缘部下表面之间设有上密封垫，所述外绝热环的下表面与所述炉体底盘上表面之间设有下密封垫，提高密封性，避免电极结构配合间隙较大，密封效果差造成的接地停车现象，从而降低生产风险，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅技术领域，具体涉及一种电极体密封结构。

背景技术

目前国际上多晶硅的主要生产工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85％。该方法是在还原炉反应器中设置硅芯，按照一定条件下硅在硅芯上沉积，后生长成硅棒，制得高纯度的多晶硅，同时产生一些硅粉等副产物，其中还原炉反应器中的电极结构和绝缘方式是还原炉运行的关键技术所在。

在目前的改良西门子法生产技术中，还存在着电极结构配合间隙较大、密封效果差的问题，例如，在还原炉运行时气场流动导致硅粉易进入电极结构间的空隙，由于硅粉的导电性质可造成还原炉接地停车，同时高温气体可将用于电极绝缘的四氟绝缘套炭化致使绝缘性降低，也可造成接地停车。不仅增加了生产过程中的风险，还直接影响了一次高压击穿的成功率，导致了多晶硅生产成本的提高，并且由于还原炉检修条件的特殊性，还增加了还原炉检维修的周期，从而无法实现长期连续生产的目的，降低了还原炉的贡献率。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供了一种电极体密封结构，提高密封性，避免电极结构配合间隙较大，密封效果差造成的接地停车现象，从而降低生产风险，降低生产成本。

为解决以上技术问题，本实用新型提供的技术方案是一种电极体密封结构，包括：穿过炉体底盘的电极体，上密封垫，下密封垫，套设于所述电极体外的内绝缘环和外绝缘环；所述电极体头部的外缘面有部分向外凸起形成的凸缘部；所述内绝缘环和所述外绝缘环设于所述凸缘部之下，所述外绝缘环设于所述炉体底盘之上；所述内绝缘环上部设于所述电极体与所述外绝缘环之间，所述内绝缘环下部设于所述电极体与所述炉体底盘之间；所述外绝热环的上表面与所述凸缘部下表面之间设有上密封垫，所述外绝热环的下表面与所述炉体底盘上表面之间设有下密封垫。

优选的，所述内绝缘环和所述外绝缘环为氮化硅的绝热环。

优选的，所述内绝缘环上端和所述外绝缘环上端高度一致。

优选的，所述内绝缘环长度大于所述外绝缘环长度。

优选的，所述凸缘部和所述外绝缘环外侧套设隔热套。

优选的，所述凸缘部上表面外围设置有环形凹槽，所述凹槽的内部嵌套所述隔热套上端部分。

优选的，所述隔热套材质为石英或陶瓷。

优选的，所述电极体外套设四氟套，所述内绝缘环下部设于所述四氟套与所述炉体底盘之间。

优选的，所述四氟套的上端和所述内绝缘环上部之间预留一定的间隙。

优选的，所述四氟套设于所述凸缘部下部。

本申请与现有技术相比，其详细说明如下：