[实用新型]刻蚀清洗设备有效
申请号: | 201821510682.0 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN208706599U | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 云巴图;赵黎;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可移动 杯体 刻蚀清洗设备 晶圆 驱动装置 本实用新型 水平载台 体内 上下对应 移动过程 杂质颗粒 偏移 良率 停机 破损 承载 开口 外围 驱动 污染 保证 生产 | ||
本实用新型提供一种刻蚀清洗设备,包括用于承载晶圆的水平载台、可移动杯体及驱动所述可移动杯体的多个驱动装置;所述可移动杯体具有上下对应的开口,在所述刻蚀清洗设备工作过程中,所述水平载台位于所述可移动杯体内;多个所述驱动装置均匀分布于所述可移动杯体的外围,且与所述可移动杯体相连接。本实用新型的刻蚀清洗设备,通过多个驱动装置增强可移动杯体的稳定性,保证可移动杯体在移动过程中以及在刻蚀清洗设备的工作过程中,可移动杯体的位置不会发生偏移,避免可移动杯体和晶圆发生碰撞导致晶圆破损以及设备停机等问题,同时避免杂质颗粒进入可移动杯体内,有效防止晶圆污染,提高生产良率。
技术领域
本实用新型涉及一种半导体制造设备,特别是涉及一种刻蚀清洗设备。
背景技术
随着半导体技术的飞速发展,半导体器件的关键尺寸日益缩小,而单个芯片所包含的电路结构越来越多,使得芯片制造工序越趋复杂,对芯片制造过程中的良率管控也越来越难。因而加强刻蚀清洗工艺以提高生产良率就成为了一个重要课题。
刻蚀清洗设备一般分批次型处理设备和单片式处理设备。批次型处理设备能同时进行数十片甚至数百片晶圆的刻蚀清洗,极大提高生产效率,但批次型清洗过程中容易造成晶圆间的交叉污染,导致良率下降,因而在一些对颗粒污染特别敏感的清洗工艺中,主要采用单片式刻蚀清洗设备进行清洗。现有的单片式刻蚀清洗设备一般包括清洗槽体和位于清洗槽体内的基座,清洗槽体通过与其一侧相连接的气缸的支撑维持平衡状态。但是在长期使用过程中,清洗槽体本身可能发生形变以及/或气缸性能下降,导致设备工作过程中,清洗槽体的位置发生偏移。一旦清洗槽体发生偏移,比如所述清洗槽体发生侧偏,不仅可能导致晶圆和槽体之间发生碰撞,而且侧偏后的清洗槽体可能会给外来的杂质颗粒以“可乘之机”,使得杂质颗粒进入清洗槽体内,造成晶圆的颗粒污染。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种刻蚀清洗设备,用于解决现有技术中因清洗槽体容易发生位置偏移,导致晶圆和清洗槽体发生碰撞以及引发晶圆的颗粒污染等问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种刻蚀清洗设备,包括用于承载晶圆的水平载台、可移动杯体及驱动所述可移动杯体的多个驱动装置;所述可移动杯体具有上下对应的开口,在所述刻蚀清洗设备工作过程中,所述水平载台位于所述可移动杯体内;多个所述驱动装置均匀分布于所述可移动杯体的外围,且与所述可移动杯体相连接。
可选地,所述驱动装置的数量为两个。
可选地,所述驱动装置位于所述可移动杯体的底部。
在另一可选方案中,所述驱动装置位于所述可移动杯体的侧壁。
可选地,所述驱动装置包括气缸、油缸、伺服电机、气缸及伺服电机或油缸及伺服电机。
可选地,所述刻蚀清洗设备包括用于所述晶圆背面清洗的背部清洗管路,位于所述水平载台内。
可选地,所述刻蚀清洗设备还包括驱动所述水平载台旋转的旋转装置,位于所述水平载台的底部,且与所述水平载台通过支撑所述水平载台的基座支柱相连接。
可选地,所述刻蚀清洗设备还包括多个位移传感器,多个所述位移传感器与多个所述驱动装置一一对应设置。
可选地,所述刻蚀清洗设备包括用于比较多个所述位移传感器的测量结果的比较器,所述比较器与多个所述位移传感器相连接。
可选地,所述刻蚀清洗设备包括报警装置,所述报警装置与所述比较器相连接。
如上所述,本实用新型的刻蚀清洗设备,具有以下有益效果:本实用新型的刻蚀清洗设备,通过多个驱动装置增强可移动杯体的稳定性,保证可移动杯体在移动过程中以及在刻蚀清洗设备的工作过程中,可移动杯体的位置不会发生偏移,避免可移动杯体和晶圆发生碰撞导致晶圆破损以及设备停机等问题,同时避免杂质颗粒进入可移动杯体内,有效防止晶圆污染,提高生产良率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造