[实用新型]一种太阳能电池正面电极的细栅线结构有效
申请号: | 201821511293.X | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN208753336U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 李跃恒;高艳飞;张强;杨爱静;韩秦军;王涛;王永冈 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 细栅线 方阻 太阳能电池 曲线线段 正面电极 烧结 断开 本实用新型 性能可靠性 分析效率 正面银浆 测试点 电池片 间断点 位置处 测试 监控 便利 帮助 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池正面电极的细栅线结构,通过将每条细栅线设置由不同的曲线线段连接而成,并且部分细栅线的曲线线段断开形成间断点,构成方阻测试点;由于这些断开部分没有正面银浆的存在,因而可在烧结后测试该位置处的方阻,从而为分析效率异常和监控烧结后的方阻提供了便利,为保障电池片的性能可靠性提供帮助。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产工艺技术领域,特别涉及一种太阳能电池正面电极的细栅线结构。
背景技术
太阳能电池是人们未来发电的一种重要方式,采用晶体硅制造的太阳能电池是目前光伏行业的主流技术。扩散和印刷电极是制作太阳能电池的关键环节,扩散方阻的监控是表征检验扩散是否正常的重要手段,但印刷电极后因为银电极的存在会导致方阻测试不准确,对出现效率异常的电池片无法确定其方阻是否正常,因此需要对正面银电极的结构进行设计,以解决印刷烧结后无法测试电池片方阻的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池正面电极的细栅线结构,以提供方阻测试点,便于测试方阻,从而为分析效率异常和监控烧结后的方阻提供了便利。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:
一种太阳能电池正面电极的细栅线结构,包括设置在基底正面的若干细栅线,若干细栅线之间相互平行;且每条细栅线均由不同的曲线线段连接而成,所述曲线线段的线宽为1-100μm;并且部分细栅线上设置有方阻测试点,所述方阻测试点为构成相应细栅线的曲线线段断开的间断点。
在本实用新型的一个实施例中,所述方阻测试点的数量为1-10个。
在本实用新型的一个实施例中,所述方阻测试点的长度相同。
在本实用新型的一个实施例中,所述方阻测试点的长度不同。
在本实用新型的一个实施例中,所述方阻测试点的长度为0.2cm-3cm。
相对于现有技术,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型提供的太阳能电池正面电极的细栅线结构,通过将每条细栅线设置由不同的曲线线段连接而成,并且部分细栅线的曲线线段断开形成间断点,构成方阻测试点;由于这些断开部分没有正面银浆的存在,因而可在烧结后测试该位置处的方阻,从而为分析效率异常和监控烧结后的方阻提供了便利,为保障电池片的性能可靠性提供帮助。
附图说明
图1为现有技术中一种太阳能电池正面电极的细栅线结构示意图;
图2为本实用新型所提供的一种太阳能电池正面电极的细栅线结构示意图;
其中:11-硅片,12-细栅线,21-基底,22-细栅线,23-方阻测试点
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例加以详细说明。
请参阅图1,图1为现有技术中一种太阳能电池正面电极的细栅线结构示意图,如图1所示,现有技术中的太阳能电池正面电极的细栅线结构包括设置在硅片11正面上的若干细栅线12,每条细栅线12均为一连续不断的实线。由于每条细栅线得整条线都存在正面银浆,因而在烧结后没有位置供方阻测试,从而为方阻的测试带来了不便。
为了解决这一技术问题,本申请对太阳能电池正面电极的细栅线结构进行了改进,如图2所示,本实用新型实施例提供的太阳能电池正面电极的细栅线结构包括设置在基底21正面的若干细栅线22,若干细栅线22之间相互平行;且每条细栅线22均由不同的曲线线段连接而成,所述曲线线段的线宽为1-100μm;并且部分细栅线22上设置有方阻测试点23,所述方阻测试点23为构成相应细栅线的曲线线段断开的间断点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的