[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821515238.8 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN208781808U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 高玮 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 本实用新型 硬掩膜层 牺牲层 基底 寄生电容问题 产品成品率 接触电阻 微图案 套刻 产品结构 | ||
1.一种半导体器件，包括基底、在所述基底上设置的硬掩膜层及在所述硬掩膜层上设置的第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成有微图案，其特征在于，所述微图案的通过以下步骤以达成，在所述第一牺牲层上设置第二牺牲层，在所述第二牺牲层上设置第三牺牲层；刻蚀所述第三牺牲层，利用曝光显影和图形转置形成第一点状图案，所述第一点状图案由第一列图案柱在所述第二牺牲层上组合形成；刻蚀所述第二牺牲层，利用曝光显影和图形转置形成第二点状图案，所述第二点状图案由第一列图案柱和第二列图案柱在所述第一牺牲层上组合构成，所述第一列图案柱和所述第二列图案柱之间的间隔包括小间隔和大间隔；在所述第二点状图案上沉积自对准覆盖层，所述自对准覆盖层完全覆盖所述小间隔，在所述自对准覆盖层上沉积第四牺牲层，再利用自对准形成第三点状图案，所述第三点状图案由第一列图案柱、第二列图案柱及第三列图案柱在所述第一牺牲层上组合形成，所述第三列图案柱位于所述大间隔内；以所述第三点状图案为掩膜对所述第一牺牲层进行刻蚀在所述第一牺牲层形成微图案。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述自对准覆盖层的沉积厚度大于所述小间隔宽度的二分之一。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述自对准覆盖层的沉积厚度小于所述大间隔宽度的二分之一。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第三牺牲层上涂布光刻胶，进行第一次光刻工艺，形成第一光刻胶图形，以所述第一光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述第三牺牲层，将所述第一光刻胶图形转移至所述第三牺牲层上形成所述第一点状图案。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一点状图案上涂布光刻胶，进行第二次光刻工艺，形成第二光刻胶图形，以所述第一点状图案和所述第二光刻胶图形为掩膜，对所述第二牺牲层进行刻蚀，将所述第一点状图案和所述第二光刻胶图形转移至所述第二牺牲层上形成所述第二点状图案。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二点状图案上沉积自对准覆盖层，所述自对准覆盖层完全覆盖所述小间隔，在所述自对准覆盖层上沉积所述第四牺牲层，刻蚀所述第四牺牲层使得所述第四牺牲层仅残留于所述大间隔中，进一步刻蚀所述自对准覆盖层，形成第三点状图案。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三牺牲层和所述第一牺牲层采用相同的材料，所述第三牺牲层包含硼磷硅玻璃层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二牺牲层和所述第四牺牲层采用相同的材料，所述第二牺牲层包含氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
