[实用新型]一种浅沟槽隔离结构

说明书

本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括衬底、隔离沟槽、第一填充介质、第二填充介质、孔隙及第三填充介质，其中，隔离沟槽形成于衬底中，以在衬底中界定出多个有源区，第一填充介质形成于隔离沟槽的侧壁，第二填充介形成于隔离沟槽中部，孔隙位于第一填充介质与第二填充介质之间，第三填充介质形成于孔隙顶部，以将孔隙封口。本实用新型在浅沟槽隔离结构中引入了孔隙，该孔隙中可以包括空气，由于空气介电常数只有1.0，可以有效降低隔离沟槽中填充介质的K值，从而增强沟槽的隔离性能，降低在浅沟槽隔离处产生的寄生电容，减少器件间的相互干扰，提高器件的运行速度。

技术领域

本实用新型属于集成电路以及电子元器件的制造领域，涉及一种浅沟槽隔离结构。

背景技术

随着器件尺寸越来越小，STI的宽度也会越来越小，那么当STI两边隔离的器件有移动的电荷就有可能产生寄生电容，由于现有的浅沟槽隔离结构中，沟槽填充介质的介电常数较高，沟道的隔绝性能不理想，使得器件间相互干扰，降低器件的运行速度。

因此，如何提供一种应用于集成电路中各单元之间的隔离的浅沟槽隔离结构，以降低沟槽填充介质的介电常数，降低相邻器件之间的干扰，提高隔离效果，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种浅沟槽隔离结构，用于解决现有技术中随着器件尺寸的减小，浅沟槽隔离宽度随之减小，导致隔绝性能下降的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括：

衬底；

隔离沟槽，形成于所述衬底中，以在所述衬底中界定出多个有源区；

第一填充介质，形成于所述隔离沟槽的侧壁；

第二填充介质，形成于所述隔离沟槽中部；

孔隙，位于所述第一填充介质与所述第二填充介质之间；

第三填充介质，形成于所述孔隙顶部，以将所述孔隙封口。

可选地，所述孔隙的宽度范围是30埃-200埃，高度范围是500埃-2800埃。

本实用新型还提供另一种浅沟槽隔离结构，包括：

衬底，所述衬底上定义有字线区域；

第一隔离沟槽，形成于所述衬底中；

第一填充介质，形成于所述第一隔离沟槽中；

第二隔离沟槽，形成于所述衬底中，所述第二隔离沟槽相交于所述第一隔离沟槽，且避开所述字线区域，所述第一隔离沟槽与所述第二隔离沟槽共同在所述衬底中界定出多个有源区；

第二填充介质，形成于所述第二隔离沟槽的侧壁；

第三填充介质，形成于所述第二隔离沟槽中部；

孔隙，位于所述第二填充介质与所述第三填充介质之间；

第四填充介质，形成于所述孔隙顶部，以将所述孔隙封口。

可选地，所述第二隔离沟槽平行于所述字线区域。

可选地，所述孔隙的宽度范围是30埃-200埃，高度范围是500埃-2800埃。

可选地，所述第二隔离沟槽的底面与所述第一隔离沟槽的底面齐平，或者所述第二隔离沟槽的底面相对较浅于所述第一隔离沟槽的底面。