[实用新型]一种晶圆的定位装置有效
申请号: | 201821523145.X | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN211743113U | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 张泳;张霖 | 申请(专利权)人: | 精典电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 200131 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 定位 装置 | ||
一种晶圆的定位装置,包括承载晶圆的调整台、反射式光电传感器、信号处理单元和控制单元,所述的反射式光电传感器包括红外线发射端、反射装置以及红外线接收端,所述红外线发射端和反射装置分置于晶圆两侧,红外线发射端发射出的红外线垂直于晶圆,反射装置可将透射晶圆的红外线反射到红外线接收端,所述红外线接收端同信号处理单元输入端连接,信号处理单元内设置放大电路,信号处理单元的输出端连接控制单元。该装置可实现半透明多角度主、副双平边型晶圆的精准定位,并完成该晶圆正反面的识别。
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制作领域,尤其涉及一种晶圆的定位装置。
背景技术
曝光机是一种能在晶圆上刻出细微图形的高精度半导体专用工艺设备。目前标准配置下的曝光机只能运行标准晶圆,其基本参数是八吋或十二吋直径,采用普通光电传感器进行光线扫描,晶圆的不透明性会对光线进行阻挡,可以较为容易的确定晶圆圆心。但随着军工、新能源和节能环保等技术的发展,碳化硅材料应运而生,碳化硅的元器件主要在4或6英寸晶圆片上制造,为此出现了4英寸碳化硅多角度主、副双平边晶圆片,碳化硅圆片采用一个主平边实现晶格定位,另外附加一个较短的副平边用于区分晶圆正反面,根据不同工艺要求,两个平边之间可能有各种不同夹角,外观呈茶色半透明玻璃状态。现有的传感器系统无法适应平边的检测,而且由于灵敏度较低,无法感知半透明碳化硅晶圆圆心的精确位置。
因此,针对以上缺陷,需要对现有技术进行有效创新。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆的定位装置,该装置可实现半透明多角度主、副双平边型晶圆的精准定位,并完成该晶圆正反面的识别。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种晶圆的定位装置,包括承载晶圆的调整台、反射式光电传感器、信号处理单元和控制单元,所述的反射式光电传感器包括红外线发射端、反射装置以及红外线接收端,所述红外线发射端和反射装置分置于晶圆两侧,红外线发射端发射出的红外线垂直于晶圆,反射装置可将透射晶圆的红外线反射到红外线接收端,所述红外线接收端同信号处理单元输入端连接,信号处理单元内设置放大电路,信号处理单元的输出端连接控制单元;
相应的,晶圆为包括主平边和副平边的双平边半透明晶圆;
相应的,调整台包括水平调整机构和中心机构,水平调整机构为空心结构,其内设置中心机构,中心机构上端设有第一固定结构,水平调整机构可进行水平方位上的移动,中心机构可进行绕轴自转和垂直方向上的上升下降运动;
相应的,第一固定结构为吸盘;
相应的,晶圆的定位装置还包括驱动单元,所述驱动单元可根据控制单元的指令,驱动水平调整机构和中心机构运动;
相应的,红外线发射端发射的红外线波长为660nm;
相应的,红外线接收端包括长度为28mm的红外线光电单元列阵;
相应的,反射装置为反射棱镜,所述反射棱镜的反射面为倾斜45°设置;
相应的,放大电路可将电压信号范围扩大为-5—5V;
相应的,定位装置上还设置有第二固定结构,所述第二固定结构可在晶圆与第一固定装置脱离时,将晶圆固定于当前位置上;
相应的,控制单元包括信号分析器,所述信号分析器可过滤掉晶圆副平边的信号,得到晶圆主平边位置。
本实用新型的有益效果为:
其一,反射式光电传感器采用28mm的红外线,可以灵敏感知晶圆在光路中不同位置时的光通量变化;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造