[实用新型]一种新型的SOP封装引线框架有效

专利信息
申请号: 201821524268.5 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN208806252U 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 曹建林 申请(专利权)人: 深圳市诚芯微科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 深圳众赢通宝知识产权代理事务所(普通合伙) 44423 代理人: 翁治林
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区布澜路*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基岛 引脚 芯片 本实用新型 引线框架 散热片 散热 连筋 承载 支撑
【说明书】:

实用新型公开了一种新型的SOP封装引线框架,本实用新型包括用于承载MOSFET或芯片的基岛、基岛引脚、芯片其他引脚及侧连筋,侧连筋与芯片其他引脚共同支撑起基岛,基岛引脚个数至少为一个,基岛引脚与基岛之间还设置有对MOSFET或芯片进行散热的散热片。本实用新型通过在基岛引脚及基岛之间增加散热片使芯片降低散热。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域,尤其涉及一种新型的SOP封装引线框架。

背景技术

SOP封装(Small Outline Package,是一种先进的微电子组装与封装技术,目前已经处于成熟发展阶段)是一种非常普及的小型贴片式封装形式。它目前被半导体芯片封装所普遍采用,现有的SOP7/SOP8封装工艺非常成熟,具有成本低、PCB面积小、效率高等优点。如图1所示,现有的SOP7/SOP8 封装引线框架,基岛引脚的宽度尺寸和数量为0.4mm*2.1mm*2或者为 0.4mm*2.1mm*4,基岛引脚的导通会导致阻抗增加使得SOP7/SOP8封装的芯片在工作中都有发热现象,特别是一些功率型的芯片及MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET),如果为了降低产品的发热就需要增芯片或MOS的面积或改用DIP(DIP封装,是dualinline-pin package的缩写,也叫双列直插式封装技术,双入线封装,DRAM的一种元件封装形式)或QFN (方形扁平无引脚封装,表面贴装型封装之一)等封装形式,这样就会导致在产品直接使用过程中出现温度过高影响使用效果及产品寿命或者是降低产品规格使用得情况;且更改芯片设计或增大MOS尺寸来减小导通阻抗(及RDSON))导致产品设计周期加长以及成本上升,目前业内亟需一种适用范围广、散热效果好、成本低和扩展性好的SOP7/SOP8封装引线框架已实现减小导通阻抗或增加产品的散热效果的效果。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种新型的SOP封装引线框架。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:包括用于承载 MOSFET或芯片的基岛、基岛引脚、芯片其他引脚及侧连筋,侧连筋与芯片其他引脚共同支撑起基岛,基岛引脚个数至少为一个,基岛引脚与基岛之间还设置有对MOSFET或芯片进行散热的散热片。

优选的,基岛的数量为一个,基岛引脚个数为一个,基岛引脚的宽度与基岛的宽度相等,基岛引脚的宽度与散热片的宽度相等。

优选的,基岛引脚的长、宽尺寸分别为4.2mm、2.1mm。

优选的,基岛的数量为两个,两个基岛并列设置,基岛引脚个数为两个,每个基岛引脚位于一个基岛的一侧,基岛引脚的宽度与散热片的宽度相等。

优选的,每个基岛引脚的长、宽尺寸为分别尺寸为1.6mm、2.1mm。

优选的,基岛的数量为1个,基岛引脚个数为一个,基岛引脚的宽度小于基岛的宽度的一半,基岛引脚的宽度与散热片的宽度相等。

优选的,基岛引脚的长、宽尺寸分别为1.6mm、2.1mm。

优选的,散热片为铝合金、黄铜或青铜制成的片状散热片。

优选的,散热片为基岛引脚的一部分。

优选的,散热片的上部设置有封装胶,封装胶内设置有二氧化铝,散热片的上部伸出与封装胶一体化设置的高度超过2mm的圆柱形换热凸起。

本实用新型通过在基岛引脚及基岛之间增加散热片使芯片降低散热,同时加宽基岛引脚尺寸使基岛引脚的导通阻抗减小降低因基岛引脚导通阻抗产生的发热;同时因基岛引脚的尺寸加宽使基岛引脚的导热面积增加使芯片内部热量导出到芯片外,来减小芯片的发热。

附图说明

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市诚芯微科技有限公司,未经深圳市诚芯微科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821524268.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top