[实用新型]一种集中电流注入的VCSEL芯片有效
| 申请号： | 201821526256.6 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN208571230U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力;王宝筠 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流集中 导电结构 电流通路 正投影 衬底 绝缘层 电流均匀性 电极结构 电连接层 量子阱层 外延结构 氧化结构 电极 出射 单模 申请 配合 | ||
1.一种集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括位于所述衬底表面依次层叠设置的量子阱层、限制层和电极接触层；所述限制层包括导电结构和位于所述导电结构两侧的氧化结构
位于所述电极接触层背离所述衬底一侧，部分覆盖所述电极接触层的电流集中层，所述电流集中层在所述衬底上的正投影，位于所述导电结构在所述衬底上的正投影中；
位于所述电流集中层两侧，覆盖所述电极接触层的裸露表面以及部分所述电流集中层侧壁的绝缘层；
覆盖所述绝缘层、所述电流集中层顶表面和部分侧壁的电连接层；
位于所述电连接层背离所述衬底一侧，且部分覆盖所述电连接层的电极结构，所述电连接层未被所述电极结构覆盖的区域在所述衬底上的正投影覆盖所述电极接触层在所述衬底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述电流集中层为磷化镓层。
3.根据权利要求1所述的集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述外延结构还包括：
位于所述衬底与所述量子阱层之间的第一型反射层；
位于所述限制层和电极接触层之间的第二型反射层。
4.根据权利要求3所述的集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一型反射层为N型分布式布拉格反射镜DBR层；
所述第二型反射层为P型DBR层。
5.根据权利要求1所述的集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，所述电极接触层为砷化镓层；
所述导电结构为砷化铝结构；
所述绝缘层为氮化硅层或氧化硅层；
所述电连接层为氧化铟锡层；
所述衬底为砷化镓衬底。
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