[实用新型]一种硒化铟晶体管有效
| 申请号： | 201821530441.2 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN209150120U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 韩琳;姜建峰;张宇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硒化铟 晶体管 本实用新型 电子迁移率 器件性能 聚合物 氧化铪 高场 沟道 滞后 | ||
【权利要求书】：
1.一种硒化铟晶体管，其特征在于，包括：
半导体衬底；
在半导体衬底上设置有栅极；
在栅极上设置有复合介质层；该复合介质层包括二氧化铪介质层和PMMA介质层；
在复合介质层上具有InSe二维半导体层；
在半导体层上及其侧部具有源/漏电极；
在半导体层和源/漏电极上具有PMMA介质层；
其中，
该半导体衬底为硅片。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第一介质层的厚度为20-40nm。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第二介质层的厚度为200-300nm。
4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第三介质层的厚度为200-300nm。
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，栅极为直接在半导体衬底上通过重掺杂形成的栅极部。
6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，源/漏电极为钛/金合金。
7.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第一介质层的厚度为25-35nm。
8.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第二介质层的厚度为230-270nm。
9.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第三介质层的厚度为230-270nm。
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