[实用新型]一种二硫化钨晶体管有效
| 申请号： | 201821530443.1 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN209150119U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 韩琳;姜建峰;张宇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 二硫化钨 本实用新型 低阈值电压 二硫化钨层 界面陷阱 内部缺陷 器件性能 迁移率 空位 散射 二维 高场 修复 | ||
【权利要求书】：
1.一种二硫化钨晶体管，其特征在于，包括：
硅片；
位于硅片上的栅极；
位于栅极上的二氧化硅介质层；
位于二氧化硅介质层上的三氧化二铝介质层；
位于三氧化二铝介质层上的多层二维半导体层，该二维半导体层为二维二硫化钨层；其中，该二维二硫化钨层进行了等离子体处理；
位于二维二硫化钨层上的源/漏电极；
位于二维二硫化钨层和源/漏电极上的PMMA介质层。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，栅极是直接在半导体衬底上通过重掺杂形成的栅极部。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第一介质层的厚度为50-150nm。
4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第二介质层的厚度为5-15nm。
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第三介质层的厚度为200-300nm。
6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该第三介质层的厚度为230-270nm。
7.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，源/ 漏电极的材料是钛/金合金。
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