[实用新型]基于表面等离激元效应的亚波长尺度矩形波导有效
| 申请号： | 201821533529.X | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN209231559U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 刘一楠;张柏富;田濛琦;张韫 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面等离激元 本实用新型 波导核心层 半导体层 矩形波导 核心层 亚波长 包层 三层 尺度 半导体材料 光子集成回路 超高集成度 传输光信号 绝缘体层 宽度一致 衍射极限 由外向内 金属层 折射率 波导 基底 两层 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于表面等离激元效应的亚波长尺度矩形波导，其特征在于，以半导体作为基底，波导部分由三部分组成，由外向内依次为金属层、绝缘体层、半导体层；半导体层纵向分为三层，中间一层为波导核心层，其余两层为核心层包层，此三层的宽度一致；其中，波导核心层的半导体材料折射率高于核心层包层。
2.根据权利要求1所述的基于表面等离激元效应的亚波长尺度矩形波导，其特征在于，金属层为Ag，绝缘体层为SiO2。
3.根据权利要求1或2所述的基于表面等离激元效应的亚波长尺度矩形波导，其特征在于，核心层包层为InP，波导核心层为InGaAs。
4.根据权利要求3所述的基于表面等离激元效应的亚波长尺度矩形波导，其特征在于，以1550nm波长的光波作为入射波，半导体折射率为3.15～3.20。
5.根据权利要求3所述的基于表面等离激元效应的亚波长尺度矩形波导，其特征在于，波导核心层宽度为50nm～130nm。
6.根据权利要求5所述的基于表面等离激元效应的亚波长尺度矩形波导，其特征在于，核心层包层的厚度为200nm～300nm。
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