[实用新型]忆阻器和阻变式存储器有效
| 申请号： | 201821535391.7 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN208690303U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 姚国峰;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 范华英;毛威 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 忆阻器 金属硼化物 存储器 下电极 阻变层 金属化合物 阻变材料层 产品性能 制备 兼容 金属 申请 | ||
1.一种忆阻器，其特征在于，所述忆阻器包括:
金属或者金属化合物制成的上电极；
金属硼化物制成的下电极；和
阻变材料层制成的阻变层，所述阻变层设置在所述上电极与所述下电极之间。
2.根据权利要求1所述的忆阻器，其中，所述上电极由钛、钽、氮化钛、氮化钽、金属硼化物中的任意一种制成。
3.根据权利要求1或2所述的忆阻器，其中，所述金属硼化物是金属二硼化物。
4.根据权利要求1或2所述的忆阻器，其中，所述金属硼化物是二硼化钛、二鹏化锆、二硼化铪、二硼化镁中的任意一种。
5.根据权利要求1或2所述的忆阻器，其中，所述金属硼化物的厚度为20纳米-100纳米。
6.一种阻变式存储器，其特征在于，包括：至少一个忆阻器和连接于所述忆阻器的金属-氧化物-半导体场效应晶体管，所述忆阻器是如权利要求1-5任意一项所述的忆阻器。
7.根据权利要求6所述的阻变式存储器，其中，所述金属-氧化物-半导体场效应晶体管包括衬底、源极、漏极、栅极电介质层和栅极，所述漏极通过第一金属连接线与所述下电极电连接。
8.根据权利要求6所述的阻变式存储器，其中，所述阻变式存储器包括多个以矩阵形式排列的所述忆阻器。
9.根据权利要求8所述的阻变式存储器，其中，同一行/列的所述多个以矩阵形式排列的所述忆阻器的上电极分别与多条第二金属连接线一一对应连接，所述多条第二金属连接线通过一条第三金属连接线与外部电路/接地端连接。
10.根据权利要求8所述的阻变式存储器，其中，所述外部电路包括行/列译码器、写入电路和/或放大电路。
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