[实用新型]一种电压自均衡多电平结构的电机驱动系统有效
申请号: | 201821535886.X | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN208849705U | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 张广栋 | 申请(专利权)人: | 苏州艾思控科技有限公司 |
主分类号: | H02P27/06 | 分类号: | H02P27/06;H02M7/5387 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 陈娟 |
地址: | 215200 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制模组 输入端 子模块 电机驱动系统 电机三相绕组 多电平结构 驱动控制器 场效应管 电压母线 输出端 桥臂 串联 均衡 本实用新型 开关频率 顺序连接 外部连线 稳定电压 源极连接 栅极连接 并联 负端 漏极 正端 | ||
1.一种电压自均衡多电平结构的电机驱动系统,其特征在于,包括用于稳定电压的驱动控制器和分别串联在电压母线正端与电机三相绕组的各相之间以及电压母线负端与电机三相绕组的各相之间的桥臂;
上述桥臂包括n个串联的子模块,所述子模块包括两个输入端和输出端依次顺序连接的控制模组,所述子模块的两条外部连线分别连接到两个控制模组的输入端;
所述控制模组包括m个相互并联的场效应管,所述场效应管的源极连接在控制模组的输入端,漏极连接在控制模组的输出端,栅极连接在驱动控制器上。
2.如权利要求1所述的电压自均衡多电平结构的电机驱动系统,其特征在于,所述场效应管为小功率的MOSFET。
3.如权利要求2所述的电压自均衡多电平结构的电机驱动系统,其特征在于,所述MOSFET为N沟道增强型MOSFET。
4.如权利要求1所述的电压自均衡多电平结构的电机驱动系统,其特征在于,所述子模块包括电容C,所述电容C串联在两个控制模组其中一个输入端和输出端之间。
5.如权利要求1所述的电压自均衡多电平结构的电机驱动系统,其特征在于,包括电感,所述电感分别串联在电压母线正端和电机三相绕组的各相之间以及电压母线的负端和电机三相绕组的各相之间。
6.如权利要求1所述的电压自均衡多电平结构的电机驱动系统,其特征在于,所述场效应管上并联有二极管,所述二极管的正极和场效应管的源极连接,负极和漏极连接。
7.如权利要求1所述的电压自均衡多电平结构的电机驱动系统,其特征在于,所述桥臂包括三个串联的子模块。
8.如权利要求1所述的电压自均衡多电平结构的电机驱动系统,其特征在于,所述控制模组包括三个相互并联的场效应管。
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