[实用新型]多层芯片堆叠结构及应用其的闪存盘

说明书

本实用新型公开了一种多层芯片堆叠结构及应用其的闪存盘，其涉及闪存盘领域。旨在解决传统闪存盘无法通过使用大尺寸的芯片来提高存储容量的问题。其技术方案要点包括基板、Controller控制芯片以及NAND存储芯片，所述基板与NAND存储芯片之间设置有第一垫片，所述第一垫片与基板之间形成让位空间；所述Controller控制芯片与基板连接，且与所述让位空间相交。本实用新型能够在基板尺寸受限的情况下，灵活使用大尺寸的NAND存储芯片，来增加闪存盘的存储容量。

技术领域

本实用新型涉及闪存盘领域，更具体地说，它涉及一种多层芯片堆叠结构及应用其的闪存盘。

背景技术

闪存盘是一种无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品，它采用的存储介质为闪存(Flash Memory)。闪存盘接口有USB、IEEE1394、E-SATA等，采用USB接口的闪存盘简称U盘。闪存盘不需要额外的驱动器，将驱动器及存储介质合二为一，只要接上电脑上的USB、IEEE1394、E-SATA等接口就可独立地存储读写数据。闪存盘体积很小，仅大拇指般大小，重量极轻，约为20克，特别适合随身携带。

目前USB3.0接口的闪存盘封装产品中，Controller控制芯片、NAND存储芯片以及贴片元件均直接与基板连接。

但是，基板尺寸受限，若要使用大尺寸的NAND存储芯片来提高闪存盘存储容量，大尺寸的NAND存储芯片会与Controller控制芯片干涉，则无法实现，此问题亟待解决。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的之一在于提供一种多层芯片堆叠结构，其具有能够在基板尺寸受限的情况下，灵活使用大尺寸的NAND存储芯片，来增加闪存盘存储容量的优势。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：

一种多层芯片堆叠结构，包括基板、Controller控制芯片以及NAND存储芯片，所述基板与NAND存储芯片之间设置有第一垫片，所述第一垫片与基板之间形成让位空间；所述Controller控制芯片与基板连接，且与所述让位空间相交。

通过采用上述技术方案，第一垫片架起NAND存储芯片，使NAND存储芯片与基板之间形成让位空间，Controller控制芯片与让位空间相交，而不会与NAND存储芯片干涉，从而能够在基板尺寸受限的情况下，灵活使用大尺寸的NAND存储芯片，来增加闪存盘的存储容量。

进一步地，所述第一垫片上堆叠设置有若干NAND存储芯片。

通过采用上述技术方案，堆叠设置若干NAND存储芯片，能够进一步提高闪存盘的存储容量。

进一步地，所述基板与NAND存储芯片之间设置有第二垫片，所述第二垫片与让位空间相交。

通过采用上述技术方案，第二垫片能够避免NAND存储芯片边缘悬空，提高NAND存储芯片的结构稳定性。

进一步地，所述NAND存储芯片与所述第一垫片之间设置有粘结层。

进一步地，所述Controller控制芯片与所述基板之间连接有金线，所述金线位于所述NAND存储芯片与基板之间。

本实用新型的另一目的在于提供一种闪存盘，其具有能够在基板尺寸受限的情况下，灵活使用大尺寸的NAND存储芯片，来增加闪存盘存储容量的优势。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：

一种闪存盘，包括上述的多层芯片堆叠结构。

通过采用上述技术方案，多层芯片堆叠结构，能够在基板尺寸受限的情况下，灵活使用大尺寸的NAND存储芯片，来增加闪存盘的存储容量。

综上所述，本实用新型具有以下有益效果：