[实用新型]芯片密封环结构和半导体芯片

权利要求书

1.一种芯片密封环结构，其特征在于，包括：

芯片(10)；

底保护层(11)，位于所述芯片(10)的主动面上；

第一密封金属环(12A)，位于所述底保护层(11)上，且位于所述芯片(10)的主动面周边；

第二密封金属环(12B)，以堆栈方式设置于所述第一密封金属环(12A)上；

绝缘介质层(13)，位于所述底保护层(11)上，所述绝缘介质层(13)具有暴露所述第二密封金属环(12B)的隔离环槽(132)，所述隔离环槽(132)的底部未暴露所述底保护层(11)；以及，

防潮层(15)，位于所述绝缘介质层(13)上及所述隔离环槽(132)内，所述防潮层(15)覆盖所述第二密封金属环(12B)的第一暴露部位(12a)以及所述绝缘介质层(13)在所述隔离环槽(132)内的第二暴露部位(13a)；

其中，所述防潮层(15)、所述第一密封金属环(12A)和所述第二密封金属环(12B)使所述绝缘介质层(13)隔离为周边层部和中央层部，所述芯片密封环结构通过所述第一密封金属环(12A)、所述第二密封金属环(12B)和所述防潮层(15)的组合来增强气液阻挡能力，从而避免所述芯片(10)在所述中央层部中的内部器件受到气液氧化或侵蚀。

2.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述防潮层(15)位于所述隔离环槽(132)内的部分，其底面连接并覆盖所述第二密封金属环(12B)的上部或者顶部。

3.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离环槽(132)的宽度大于等于所述第二密封金属环(12B)的宽度，以使所述第二密封金属环(12B)的上部或者顶部完全暴露于所述隔离环槽(132)中，所述第一密封金属环(12A)嵌埋于所述绝缘介质层(13)中。

4.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离环槽(132)的宽度小于所述第二密封金属环(12B)的宽度，以使所述第二密封金属环(12B)的上部或者顶部部分暴露于所述隔离环槽(132)中，且所述第一密封金属环(12A)嵌埋于所述绝缘介质层(13)中。

5.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述第一密封金属环(12A)和所述第二密封金属环(12B)各包括至少一个连续金属环结构，所述连续金属环结构由阻障层(122)和金属层(121)以及插塞部(123)堆栈形成，且所述第二密封金属环(12B)中的插塞部(123B)由所述第二密封金属环(12B)中的金属层(121B)往下延伸一体形成的，并通过所述第二密封金属环(12B)中的阻障层(122B)与所述第一密封金属环(12A)中的金属层(121A)来实现金属互连。

6.根据权利要求5所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离环槽(132)至少暴露所述第二密封金属环(12B)的连续金属环结构的金属顶面。

7.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，还包括：

顶遮盖层(16)，位于所述防潮层(15)上。

8.一种半导体芯片，其特征在于，至少包括：如权利要求1至7任一项所述的芯片密封环结构。

9.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

晶圆，所述晶圆上包含若干个芯片(10)以及位于相邻芯片(10)之间的切割道(20)；

其中，所述芯片(10)至少包括如权利要求1至7任一项所述的芯片密封环结构；以及

焊盘金属层图案(17)，位于所述芯片(10)的周围区域内，且所述焊盘金属层图案(17)被包裹于所述绝缘介质层(13)内；

其中，所述绝缘介质层(13)还具有焊盘开口(171)，位于所述焊盘金属层图案(17)的上方，所述焊盘开口(171)还贯通所述防潮层(15)，并且其所暴露的所述焊盘金属层图案(17)的部分作为芯片焊盘，从而暴露所述芯片(10)的焊盘区域。