[实用新型]膜层沉积装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。所述膜层沉积装置包括：调节部，包括朝向晶圆表面设置的分隔面以及位于所述分隔面的多个喷口，所述喷口用于将反应物传输至所述晶圆表面；控制部，用于分别控制每一所述喷口是否开启，实现所述反应物密度在所述晶圆表面的非均匀分布。本实用新型能够于晶圆表面形成厚度非均匀分布的膜层，实现对晶圆弯曲度分布的平衡，且适用于各种形状的晶圆，有效改善了晶圆产品的质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层沉积装置。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

然而，晶圆在经过各种半导体工艺处理之后，晶圆的弯曲度分布不能达到平衡，从而使得晶圆呈现翘曲的状态，严重影响晶圆产品的质量。

因此，如何改善晶圆的弯曲度分布，提高晶圆产品的质量，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种膜层沉积装置，用于解决现有技术中晶圆经多步处理工艺后弯曲度分布不平衡的问题，以改善晶圆产品的质量。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种膜层沉积装置，包括：

调节部，包括朝向晶圆表面设置的分隔面以及位于所述分隔面的多个喷口，所述喷口用于将反应物传输至所述晶圆表面；

控制部，用于分别控制每一所述喷口是否开启，实现所述反应物的密度在所述晶圆表面的非均匀分布。

优选的，所述控制部还用于获取所述晶圆的弯曲度分布，并根据所述弯曲度分布控制每一所述喷口是否开启，使得由所述反应物生成的膜层的厚度在所述晶圆表面非均匀分布。

优选的，多个所述喷口均匀分布于整个所述分隔面。

优选的，所述调节部包括分区控制气体盘；所述分区控制气体盘包括：

气体腔，用于容纳气态的所述反应物；

所述分隔面包括位于所述气体腔朝向所述晶圆一侧的第一分隔面。

优选的，多个所述喷口包括设置于所述第一分隔面上的多个喷嘴孔。

优选的，所述喷嘴孔为正六边形孔。

优选的，还包括用于容纳所述晶圆的反应腔室；所述调节部包括对准结构；所述对准结构包括：

位于所述反应腔室内的隔离板，所述隔离板用于调整等离子态的所述反应物在所述晶圆表面的密度分布；

所述分隔面包括所述隔离板中朝向所述晶圆一侧设置的第二分隔面。

优选的，多个所述喷口包括设置于所述第二分隔面上的多个对准孔。

优选的，所述晶圆为马鞍状晶圆或碗状晶圆。

优选的，所述膜层沉积装置为等离子体化学气相沉积装置。