[实用新型]芯片密封环结构和半导体芯片

权利要求书

1.一种芯片密封环结构，其特征在于，所述芯片密封环结构至少包括：

芯片(10)；

底保护层(11)，位于所述芯片(10)的主动面上；

密封环金属层图案(12)，位于所述底保护层(11)上，且所述密封环金属层图案(12)位于所述芯片(10)的主动面周边；

绝缘介质层(13)，位于所述底保护层(11)上，所述绝缘介质层(13)具有隔离开口(132)，所述隔离开口(132)暴露所述密封环金属层图案(12)和所述底保护层(11)；以及，

防潮层(15)，位于所述绝缘介质层(13)上及所述隔离开口(132)内，所述防潮层(15)覆盖所述密封环金属层图案(12)的第一暴露部位(12a)以及所述底保护层(11)在所述隔离开口(132)内的第二暴露部位(11a)；

其中，所述芯片密封环结构通过覆盖在所述密封环金属层图案(12)上的所述防潮层(15)来增强气液阻挡能力，从而避免所述密封环金属层图案(12)受到气液氧化或侵蚀。

2.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离开口(132)的宽度大于等于所述密封环金属层图案(12)的宽度，以使所述密封环金属层图案(12)完全暴露于所述隔离开口(132)中，且所述防潮层(15)覆盖所述密封环金属层图案(12)表面。

3.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离开口(132)的宽度小于所述密封环金属层图案(12)的宽度，以使所述密封环金属层图案(12)部分暴露于所述隔离开口(132)中，且所述密封环金属层图案(12)局部嵌埋于所述绝缘介质层(13)中。

4.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述密封环金属层图案(12)包括至少一个连续金属环结构，所述连续金属环结构由多个阻障层(122)和金属层(121)以及插塞部(123)交错堆栈形成，且所述金属层(121)之间通过所述阻障层(122)和所述插塞部(123)来实现金属互连。

5.根据权利要求4所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离开口(132)至少暴露所述密封环金属层图案(12)的一个所述连续金属环结构。

6.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述芯片密封环结构还包括：

顶遮盖层(16)，位于所述防潮层(15)上。

7.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片至少包括：如权利要求1至6任一项所述的芯片密封环结构。

8.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

晶圆，所述晶圆上包含若干个芯片(10)以及位于相邻芯片(10)之间的切割道(20)；

如权利要求1至6任一项所述的芯片密封环结构，位于所述芯片(10)周围区域与所述切割道(20)之间；以及

焊盘金属层图案(17)，位于所述芯片(10)周围区域内，且所述焊盘金属层图案(17)被部分包裹于所述绝缘介质层(13)内；

焊盘区域，位于所述焊盘金属层图案(17)上，包含芯片焊盘以及焊盘开口(171)，其中，所述焊盘开口(171)暴露所述焊盘金属层图案(17)的部分作为所述芯片焊盘。