[实用新型]一种逆变桥MOS管保护电路

权利要求书

1.一种逆变桥MOS管保护电路，用于保护逆变器电路，其特征在于：包括电压基准源(1)、比较器(U3)、电源监测电路(2)、逆变驱动供电电路(3)、管压降监测电路(4)和逆变桥MOS管关断电路(5)；其中，

所述逆变器电路包括逆变供电电路、逆变驱动电路、逆变桥输出电路，所述逆变供电电路的输入为第一电源，所述第一电源经降压输出第二电源和第三电源，所述逆变桥驱动电路的电源包括第四电源和第五电源；所述逆变桥输出电路为一桥式电路，所述桥式电路包括第二MOS管和第四MOS管，所述第二MOS管和所述第四MOS管接地；

所述电压基准源(1)输出第一基准信号和第二基准信号；

所述电源监测电路(2)，用于监测所述第一电源并产生第一监测信号；

所述逆变驱动供电电路(3)，用于关断或连通所述第二电源和所述第四电源的连接，及所述第三电源和所述第五电源的连接；

所述管压降监测电路(4)，用于监测所述第二MOS管(Q2)的管压降和所述第四MOS管(Q4)的管压降，并形成第二监测信号；

所述逆变桥MOS管关断电路(5)，用于关断所述第二MOS管(Q2)和所述第四MOS管(Q4)；

所述比较器(U3)，包括第一比较单元(U3A)和第二比较单元(U3B)，所述第一比较单元(U3A)的负输入端输入第一监测信号；所述第一比较单元(U3A)的正输入端输入第一基准信号；当所述第一比较单元(U3A)的输出端为高电平时，所述逆变驱动供电电路(3)关断所述逆变驱动电路的第四电源和第五电源的输入，当所述第一比较单元(U3A)的输出端为低电平时，所述逆变驱动供电电路(3)连通所述逆变驱动电路的第四电源和第五电源的输入；所述第二比较单元(U3B)的负输入端输入第二基准信号，所述第二比较单元(U3B)的正输入端输入第二监测信号；当第二比较单元(U3B)的输出为高电平时，所述逆变桥MOS管关断电路(5)关断所述第二MOS管(Q2)和所述第四MOS管(Q4)。

2.如权利要求1所述的逆变桥MOS管保护电路，其特征在于：所述电压基准源(1)包括第三十二电阻(R32)和基准源芯片(U4)，所述第一基准信号和所述第三十二电阻(R32)的第二端、基准源芯片(U4)的第一引脚、基准源芯片(U4)的第二引脚连接，所述第三十二电阻(R32)的第一端连接到第三电源，所述基准源芯片(U4)的第三引脚接地。

3.如权利要求1所述的逆变桥MOS管保护电路，其特征在于：所述电源监测电路(2)，包括第二十七电阻(R27)和第二十八电阻(R28)，所述第一电源和第二十七电阻(R27)的第一端连接，所述第一监测信号和第二十七电阻(R27)的第二端、第二十八电阻(R28)的第一端连接，所述第二十八电阻(R28)的第二端接地。

4.如权利要求1所述的逆变桥MOS管保护电路，其特征在于：所述逆变驱动供电电路(3)包括第七MOS管(Q7)、第九MOS管(Q9)，所述逆变驱动供电电路(3)的输入为第二电源和第三电源，所述逆变驱动供电电路(3)的输出是第四电源和第五电源；所述第七MOS管(Q7)的栅极和第一比较单元(U3A)的输出端连接，所述第七MOS管(Q7)的源极和所述第三电源连接，所述第七MOS管(Q7)的漏极和所述第五电源连接；所述第九MOS管(Q9)的栅极通过隔离电路和第一比较单元(U3A)的输出端连接，所述第九MOS管(Q9)的源极和所述第二电源连接，所述第九MOS管(Q9)的漏极和所述第四电源连接。

5.如权利要求4所述的逆变桥MOS管保护电路，其特征在于：所述隔离电路包括第八三极管(Q8)，所述第八三极管(Q8)的发射极和第一比较单元(U3A)的输出端连接，所述第八三极管(Q8)的基极通过第二十九电阻(R29)和第五电源连接；所述第八三极管(Q8)的集电极通过第三十电阻(R30)和第九MOS管(Q9)的栅极连接，所述第九MOS管(Q9)的栅极通过第三十一电阻(R31)和第二电源连接。