[实用新型]一种晶圆工作台清洁系统

说明书

本实用新型提供一种晶圆工作台清洁系统，其中，晶圆工作台清洁系统包括：研磨块及清洗液喷头；研磨块位于晶圆工作台的上方，用以对晶圆工作台进行研磨，研磨块的研磨面与晶圆工作台平行设置，自研磨面向研磨块内部延伸包含至少一个研磨块通孔；清洗液喷头位于研磨块通孔内，与研磨块通孔的侧壁非接触，用以对所述晶圆工作台喷涂清洗液。本实用新型通过研磨块及清洗液喷头，可提高晶圆工作台的清洁效果及清洁效率；提高晶圆工作台的洁净度及平整度，从而提高产品质量；降低对晶圆工作台的损伤，延长晶圆工作台的使用寿命。

技术领域

本实用新型属于半导体集成电路领域，涉及一种晶圆工作台清洁系统。

背景技术

在半导体集成电路领域中，半导体集成电路中的电路图案，通常是采用光刻工艺制备获得，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中最关键的步骤，其在整个工艺过程中需要被多次使用，对产品的质量有着重要的影响。

光刻工艺是一个复杂的过程，主要包括以下步骤：首先在基底上形成待刻蚀薄膜层，再使用涂胶机，在待刻蚀薄膜层上涂布(Coating)光刻胶，并通过曝光机将光经过具有一定图形的掩膜版照射在光刻胶上使其曝光(Exposure)，而后利用显影液对光刻胶进行显影(Developing)，从而将掩膜版中的图形转移到光刻胶上形成光刻胶图案，最后在光刻胶图案的保护下对待刻蚀薄膜层进行刻蚀(Etch)工艺，从而将光刻胶图案转移到待刻蚀薄膜层中，图形化薄膜层获得电路图案。

现有的半导体集成电路中，晶圆在进入光刻机之前，背面常常残留有不需要的污染物，该部分污染物在晶圆曝光的过程中，污染物会掉落粘附在晶圆工作台的表面，降低晶圆工作台的洁净度，且污染物可能会转移到下一片放置于晶圆工作台上的晶圆的背面，扩大晶圆的污染范围。该部分污染物还会降低晶圆工作台的平整度，使得晶圆在进行曝光过程中发生离焦现象，影响产品质量。该部分污染物经过长期的堆积，还可能造成昂贵的晶圆工作台的损坏，造成资源的浪费。因此，为提高晶圆工作台的平整度及洁净度，工作人员通常采用干式机械研磨法以去除位于晶圆工作台的表面的污染物，但干式机械研磨法去除污染物的效果较差，尤其当污染物的区域范围较大时，有时需要进行多次重复研磨或采用手动研磨以达到较佳的清洁效果，采用多次重复研磨或手动研磨，耗时较长，使得清洁效率降低，且会增加对晶圆工作台的损伤，缩短晶圆工作台的使用寿命，造成资源的浪费。

因此，有必要提供一种新型的晶圆工作台清洁系统，用于解决现有生产工艺中，在清洁晶圆工作台时所带来的上述一系列问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆工作台清洁系统，用于解决现有技术中在清洁晶圆工作台时，所带来的清洁效果差、清洁效率低及缩短晶圆工作台的使用寿命的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆工作台清洁系统，所述晶圆工作台清洁系统包括：

研磨块，位于所述晶圆工作台的上方，用以对所述晶圆工作台进行研磨，所述研磨块的研磨面与所述晶圆工作台平行设置，自所述研磨面向所述研磨块内部延伸包含至少一个研磨块通孔；

清洗液喷头，位于所述研磨块通孔内，与所述研磨块通孔的侧壁非接触，用以对所述晶圆工作台喷涂清洗液。

可选的，所述晶圆工作台清洁系统还包括与所述研磨块相连接的连接部，所述连接部位于所述研磨块的上方，并包含与所述研磨块通孔相贯通的连接部通孔。

可选的，所述连接部与所述研磨块的连接方式包括销连接、锁扣连接及螺纹连接中的一种。

可选的，所述研磨块在所述晶圆工作台上的投影的形貌包括外径范围为10mm～35mm的圆环形。

可选的，所述研磨块通孔的最小距离的范围包括4mm～10mm。

可选的，所述研磨块通孔位于所述研磨块的中心。