[实用新型]一种增强正面钝化的PERC太阳能电池有效
| 申请号： | 201821545657.6 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN209298126U | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 林纲正;方结彬;陈刚 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区北辰经*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面钝化膜 本实用新型 钝化 磷源 多晶硅薄膜 碳化硅薄膜 太阳能电池 背场 开槽 铝栅 全铝 掺杂 电极接触区域 光电转换效率 设备投入成本 背银电极 电池正面 钝化效果 依次设置 正银电极 制备工艺 常规的 钝化膜 兼容性 电池 贯通 复合 扩散 改造 | ||
【权利要求书】：
1.一种增强正面钝化的PERC太阳能电池，它包括从下至上依次设置的背银电极、全铝背场或铝栅线、背面钝化膜、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正银电极，在所述背面钝化膜上开有贯通背面钝化膜的开槽，全铝背场或铝栅线通过开槽与P型硅相连，其特征在于：所述N型发射极包括磷掺杂多晶硅薄膜或磷掺杂碳化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的增强正面钝化的PERC太阳能电池，其特征在于：所述N型发射极还包括隧道氧化层，所述隧道氧化层位于所述P型硅和所述磷掺杂多晶硅薄膜或磷掺杂碳化硅薄膜之间。
3.根据权利要求2所述的增强正面钝化的PERC太阳能电池，其特征在于：所述隧道氧化层的厚度是5～10nm。
4.根据权利要求3所述的增强正面钝化的PERC太阳能电池，其特征在于：所述隧道氧化层为二氧化硅。
5.根据权利要求1～4任一项所述的增强正面钝化的PERC太阳能电池，其特征在于：所述磷掺杂多晶硅薄膜或磷掺杂碳化硅薄膜的厚度是
5～50nm。
6.根据权利要求5所述的增强正面钝化的PERC太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化膜采用氮化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
