[实用新型]一种台面二极管管芯

说明书

本实用新型涉及一种二极管管芯，尤其涉及一种台面二极管管芯。该台面二极管管芯，包括P区、N区、P+区和N+区，所述N区与P区连接形成PN结，所述P+区设置在P区内，所述N+区设置在N区外侧，且远离P+区。本实用新型通过改进台面二极管管芯的结构，并在管芯的各区域相应地掺杂不同浓度的三价或者五价杂质，使管芯表面的击穿电压高于管芯内部的击穿电压，有效保证管芯内部先于管芯表面被击穿，避免台面二极管失效，大大提高了产品成品率及可靠性，生产效率高，能适用于大中小功率的台面二极管管芯。

技术领域

本实用新型涉及一种二极管管芯，尤其涉及一种台面二极管管芯。

背景技术

一般情况下，台面二极管的内部被击穿后是可以恢复的，而其表面(侧面)被击穿往往会导致二极管永久性失效，台面二极管被反向击穿时，几乎都是表面先于内部被击穿。经统计，二极管失效有95％以上是因为表面被击穿所致。因此，为避免台面二极管失效，应使二极管的内部先于表面被击穿。现有技术实现内部先于表面被击穿的措施是对台面二极管的管芯进行磨角，通过增大距离来降低表面电场，尽可能实现内部先于表面被击穿，但是，对台面二极管的管芯进行磨角生产效率低，如果要获得较好的效果，则管芯的表面积损失较大，中小功率的管芯由于尺寸小，无法对其台面进行磨角，仍不能有效解决台面二极管表面先于内部被击穿，导致二极管失效的问题。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种台面二极管管芯。

本实用新型通过以下技术方案得以实现：

一种台面二极管管芯，包括P区、N区、P+区和N+区，所述N区与P区连接形成PN结，所述P+区设置在P区内，所述N+区设置在N区外侧，且远离P+区。

所述P区和P+区均为三价杂质掺杂区域。

所述P+区掺杂的三价杂质浓度高于P区。

所述P+区表面掺杂的三价杂质浓度不小于10¹⁸原子//cm³。

所述N区和N+区均为五价杂质掺杂区域。

所述N+区掺杂的五价杂质浓度高于N区。

所述N+区表面掺杂的五价杂质浓度不小于10¹⁹原子//cm³。

本实用新型的有益效果在于：通过改进台面二极管管芯的结构，并在管芯的各区域相应地掺杂不同浓度的三价或者五价杂质，使管芯表面的击穿电压高于管芯内部的击穿电压，有效保证管芯内部先于管芯表面被击穿，避免台面二极管失效，大大提高了产品成品率及可靠性，生产效率高，能适用于大中小功率的台面二极管管芯。

附图说明

图1为本实用新型的实施例一的俯视结构示意图；

图2为图1沿A-A的剖视结构示意图；

图3为本实用新型的实施例二的俯视结构示意图；

图4为图3沿B-B的剖视结构示意图；

图5为本实用新型的实施例三的剖视结构示意图；

图6为本实用新型的实施例四的剖视结构示意图；

图7为本实用新型的实施例五的俯视结构示意图；

图8为本实用新型的实施例六的俯视结构示意图；

图9为本实用新型的实施例七的俯视结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例中的附图进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。