[实用新型]粉末净化处理装置

说明书

本实用新型提供一种粉末净化处理装置，包括在一器壳内规划形成有一第一水洗腔室、一粉末捕捉腔室及一第二水洗腔室，其中该第一水洗腔室具有一导入废气的入口，该第一水洗腔室内配置有一第一喷水器，该粉末捕捉腔室内配置有至少一喷水头与多个捕集环，该第二水洗腔室具有一排放废气的出口，该第二水洗腔室内配置有一第二喷水器，该入口、该第一水洗腔室、该粉末捕捉腔室、该第二水洗腔室以及该出口依序成为导引废气通过的一气体流道；如此，改善半导体废气在经过高温烧结处理的后所生成的微细粉末难以充分捕捉的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制程废气进行烧结反应后的生成物的捕捉技术，特别是有关于一种粉末净化处理装置。

背景技术

周知，半导体制程所生成的废气包含有SiH₄、H₂SiCl₂(DCS)、WF₆、BF₃、NF₃、SF₆、CF₄、C₂F₆、C₃F₈等，其中NF₃、SF₆、CF₄、C₂F₆及C₃F₈等归属有害的氟化物(Per FluorinatedCompounds,PFC)，倘若排放至大气中，会造成环境污染，甚至于温室效应，对地球暖化造成严重的影响，因此必须将所述的这些废气处理成无害的气体。

坊间所泛用的半导体废气处理设备，就是用于将上述废气处理成无害的气体。一般而言，已知的半导体废气处理设备都设有废气的反应腔室，半导体制程所生成的废气系导入反应腔室内，并且在反应腔室内以火焰或热空气所提供的高温，对所述废气进行烧结(即烧结反应)；特别的，通过高温的烧结反应，可将例如是有害的NF₃、SF₆、CF₄、C₂F₆及C₃F₈等氟化物气体分解成无害的氟离子(F-)，进而达到净化废气的目的。

且知，所述废气经过上述高温烧结处理之后，会于反应腔室内生成SiO₂、PO₂、AlO₂、W₃O₅、BO₃的粉末生成物，这些生成物通常需经后段的水洗程序(scrubber)的捕捉及刷洗，使上述生成物能沉积于水中而被过滤筛离。

但是，由于所述生成物中SiO₂、PO₂、AlO₂、W₃O₅、BO₃的粉末极其微细，在已知半导体废气处理设备中所用的水洗程序，无法充分捕捉所述的粉末生成物，造成半导体制程废气的净化效率不彰，甚至提高了废气处理设备及净化工序的成本，因此亟待加以改善。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于改善半导体废气在经过高温烧结处理的后所生成的SiO₂、PO₂、AlO₂、W₃O₅、BO₃的粉末极其微细，难以充分捕捉的问题。