[实用新型]用于产生差分输出信号对的电路有效

专利信息
申请号: 201821569128.X 申请日: 2018-03-23
公开(公告)号: CN209462354U 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: P·赫斯基 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H03K17/042 分类号: H03K17/042;H03K17/16;H03K17/687
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张小稳
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 驱动器 差分输出信号 输出信号 电路 比较器 监测器模块 恒定 差分驱动器 调节器 斜率波动 转换期间 输出 自适应 转换 测量 申请
【说明书】:

本公开涉及用于产生差分输出信号对的电路。公开了差分驱动器中转换斜率波动的技术问题通过电路来解决以用于自适应地调节差分输出的所述转换斜率。根据本申请的一个方面,提供了用于产生差分输出信号对的电路,包括:第一驱动器,用于第一输出信号;第二驱动器,用于第二输出信号;一个或多个监测器模块,耦接到第一和第二驱动器以测量每次转换期间第一和第二驱动器的斜率时间;比较器,耦接到一个或多个监测器模块以比较第一和第二驱动器的斜率时间;一个或多个调节器,耦接到比较器以及第一和第二驱动器中的至少一个以基于比较器的输出,调节第一或第二驱动器的至少一个斜率时间,以提供具有恒定平均值的差分输出信号对中的第一和第二输出信号。

本申请是申请日为2018年03月23日、申请号为201820396326.4、实用新型名称为“电路”的实用新型专利申请的分案申请。

技术领域

本公开整体涉及电子器件,并且更具体地讲,涉及调节差分驱动器的输出转换斜率。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(“MOSFET”)通常单独使用或与其他晶体管结合使用作为功率开关器件。MOSFET器件包括源极区、漏极区、在源极区和漏极区之间延伸的沟道区,以及邻近沟道区提供的栅极结构。栅极结构包括邻近沟道区设置并且通过薄的介电层与沟道区分离的导电栅极电极层。

当MOSFET器件处于“导通”状态时,将电压施加到栅极结构以在源极区和漏极区之间形成导电沟道区,该导电沟道区允许电流流过该器件。在“关断”状态中,施加到栅极结构的任何电压都足够低以使得导电沟道不形成,并且因此电流流动不发生。在关断状态中,器件可支撑源极区和漏极区之间的高电压。

从关断状态切换或转换到导通状态,或者从导通状态切换或转换到关断状态不是瞬时的。相反,需要一定量的时间才能使器件的电压或电流从另一种状态达到每种状态,并且在没有额外电路元件的情况下难以实现控制此时间(称为微调),额外电路元件会给含有该器件的电路和产品带来不期望的复杂性和成本。另外,微调部件必须考虑到转换时间对温度、拓扑结构以及甚至封装应力的依赖性。最后,当使用多个晶体管来提供或控制输出电压或电流时,基于每个晶体管的此类时间之间的差异,所提供的电压或电流不期望地波动。除了其他不期望的行为,此类波动会引起电磁兼容性(“EMC”)发射,这增加了成本(由于需要屏蔽)并降低了性能。

实用新型内容

差分输出驱动器中转换斜率波动的技术问题通过自适应地调节差分输出的转换斜率的电路来解决。

根据本申请的一个方面,提供了一种用于产生差分输出信号对的电路,所述电路包括:第一驱动器,用于所述差分输出信号对中的第一输出信号;第二驱动器,用于所述差分输出信号对中的第二输出信号;一个或多个监测器模块,耦接到所述第一驱动器和所述第二驱动器以测量每次转换期间所述第一驱动器和所述第二驱动器的斜率时间;比较器,耦接到所述一个或多个监测器模块以比较所述第一驱动器和所述第二驱动器的斜率时间;一个或多个调节器,耦接到所述比较器以及所述第一驱动器和所述第二驱动器中的至少一个以基于所述比较器的输出,调节所述第一驱动器或所述第二驱动器的至少一个斜率时间,以提供具有恒定平均值的所述差分输出信号对中的所述第一输出信号和所述第二输出信号。

在一个实施方案中,所述一个或多个调节器通过每个脉冲循环至多一次地引发提供给所述第一驱动器和所述第二驱动器中的至少一个的电压或电流的增加或减小来调节所述至少一个斜率时间,直到达到所述恒定平均值为止。

在一个实施方案中,所述一个或多个调节器通过每个脉冲循环至多一次地调节提供给所述第一驱动器和所述第二驱动器中的至少一个的电压或电流的起始时间来调节所述至少一个斜率时间,直到所述第一驱动器和所述第二驱动器具有匹配起始时间为止。

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