[实用新型]低温多晶硅层及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201821583150.X | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN208738178U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李立胜;何鹏;颜源 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温多晶硅 多晶硅层 沟道区域 低掺杂 缓冲层 薄膜晶体管 基板 高掺杂 漏电流 光子 吸收 | ||
1.一种低温多晶硅层，其特征在于，包括:
基板；
至少一缓冲层，设置在所述基板上；以及
多晶硅层，设置在所述至少一缓冲层上，所述多晶硅层包括沟道区域、设置在所述沟道区域的两侧的两个低掺杂区域以及设置在所述低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域，所述沟道区域的边缘及至少部分所述低掺杂区域的厚度小于所述多晶硅层的其他位置的厚度。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅层，其特征在于，所述低掺杂区域是N低掺杂区域，所述高掺杂区域是N高掺杂区域。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅层，其特征在于，所述多晶硅层的所述沟道区域具有不同的厚度，所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域的所述厚度小于所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的厚度。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅层，其特征在于，所述多晶硅层的所述高掺杂区域具有不同的厚度，所述多晶硅层的所述高掺杂区域的边缘接触所述低掺杂区域且所述高掺杂区域的所述边缘的厚度等于所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域的所述厚度，以及所述高掺杂区域的其他位置的厚度等于所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的厚度。
5.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括:
如权利要求1-4中任一项所述的低温多晶硅层及设置在所述低温多晶硅层上的栅绝缘层、栅电极、层间介电绝缘层、两个过孔、源电极和漏电极，所述过孔贯穿所述栅绝缘层和所述层间介电绝缘层，所述源电极和所述漏电极通过对应的过孔与所述低温多晶硅层的两端接触。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极与所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘的距离小于所述栅电极与所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的距离。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极与所述多晶硅层的至少部分所述低掺杂区域的距离小于所述栅电极与所述多晶硅层的所述沟道区域的所述其他位置的距离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
