[实用新型]适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路有效

专利信息
申请号: 201821585512.9 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN209390413U 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 庄华龙;刘羽 申请(专利权)人: 帝奥微电子有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人: 赵芳梅
地址: 226017 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 环路响应 快速响应 消除电路 纹波 输出电流纹波 稳定工作状态 电流纹波 电位检测 控制模块 驱动电路 响应模块 低频率 呼吸式 小电流 调光 晃动 电路 保证
【权利要求书】:

1.一种适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路,构建于LED驱动系统上,所述LED驱动系统包括一LED负载、一MOS管及一恒流控制电路,所述LED负载连接于所述MOS管的一漏极与所述恒流控制电路间,所述MOS管的一源极接地并连接至所述恒流控制电路,一电容的一端与所述恒流控制电路连接,而所述MOS管的源极则透过一电阻接地,其特征在于:所述适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路包括:

一电流纹波控制模块,分別与所述MOS管的一栅极、所述MOS管的源极、一低环路响应模块、一LEDN电位检测响应模块、一启动快速响应模块及一调光快速响应模块连接,并连接至所述电容远离所述恒流控制电路的一VC端,用以通过调整所述MOS管的一栅源电压,从而调整所述MOS管的一导通阻抗,将一前级恒流输出的电流纹波转换成所述MOS管的漏源两端的电压纹波;

所述低环路响应模块,又分別与所述电位检测响应模块及所述电容的VC端连接并接地;

所述LEDN电位检测响应模块,又分別与所述电容的VC端、所述MOS管的漏极、以及所述LED负载远离所述恒流控制电路的LEDN端连接,用以根据所述LEDN端的电位来控制流入所述VC端电流的大小;

所述启动快速响应模块,用以在前级输出电流由小变大时,增大流入所述VC端的电流,以增加系统响应速度;以及

所述调光快速响应模块,用以在TRIAC调光导通角由大变小时,开启所述VC端对所述接地的泄电通路,快速降低所述MOS管的栅源电压,使其适应流过小电流情况。

2.如权利要求1所述的适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路,其中所述低环路响应模块所设定正常工作时一系统响应周期至少大于市电电压有效值波动周期。

3.如权利要求1所述的适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路,其中,所述LEDN电位检测响应模块在所述MOS管的栅极与漏极之间串联至少一个zener稳压二极管和一个限流电阻。

4.如权利要求3所述的适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路,其中,所述调光快速响应模块,在所述LEDN电位检测响应模块的zener稳压二极管两端间并联有一高压二极管。

5.如权利要求4所述的适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路,其中,所述调光快速响应模块,并联一栅源短接的高压MOSFET。

6.如权利要求4所述的适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路,其中,所述调光快速响应模块,并联一高压双极型晶体管BJT。

7.如权利要求3所述的适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路,其中,所述LEDN电位检测响应模块,串联至少一个双极型晶体管BJT和一个限流电阻。

8.如权利要求3所述的适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路,其中,所述LEDN电位检测响应模块,串联至少一个栅源短接的金属氧化物半导体场效应管MOSFET和一个限流电阻。

9.如权利要求1所述的适用于极低TRIAC调光深度的LED电流纹波消除电路,其中,所述低环路响应模块,在MOS管栅极和接地之间串联一大阻值的电阻。

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