[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号： | 201821587754.1 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN208938930U | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 大野宏树;佐藤秀明;稻田尊士;河野央;西脇良典;大津孝彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷酸处理液 基板处理装置 析出 循环路径 供给部 基板处理 防止剂 蚀刻 本实用新型 含硅化合物 氮化硅膜 硅氧化物 蚀刻处理 混合部 | ||
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板处理槽；
磷酸处理液供给部，其供给在所述基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液；
循环路径，其用于使被供给到所述基板处理槽的所述磷酸处理液循环；
SiO2析出防止剂供给部，其向所述循环路径供给SiO2析出防止剂；以及
混合部，其将含硅化合物混合到供给至所述循环路径之前的所述磷酸处理液中。
2.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板处理槽；
磷酸处理液供给部，其供给在所述基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液；
SiO2析出防止剂供给部，其供给SiO2析出防止剂；
循环路径，其用于使被供给到所述基板处理槽的所述磷酸处理液循环；以及
混合部，其将所述SiO2析出防止剂混合到供给至所述循环路径之前的所述磷酸处理液中。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述混合部为将从所述磷酸处理液供给部供给的所述磷酸处理液与从所述SiO2析出防止剂供给部供给的所述SiO2析出防止剂混合后进行贮存的预备罐。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
具备预备罐，所述预备罐用于将含硅化合物混合到从所述磷酸处理液供给部供给的所述磷酸处理液中后进行贮存，
所述混合部将所述SiO2析出防止剂混合到从所述预备罐供给的所述磷酸处理液中。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述混合部将所述SiO2析出防止剂混合到常温的所述磷酸处理液中。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述混合部通过使所述磷酸处理液和所述SiO2析出防止剂产生紊流，来将所述SiO2析出防止剂混合到所述磷酸处理液中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
