[实用新型]液体槽

说明书

该实用新型涉及一种液体槽，其中，所述液体槽包括：槽体，用于盛放液体，所述槽体的底部设有若干进水口；设有若干通孔的流量均匀板，所述流量均匀板用于放置在所述槽体内，并将所述槽体所围成的空间沿所述槽体的深度方向分隔为上腔和下腔，待处理物体用于放置在所述上腔，所述进水口位于所述下腔。本实用新型的液体槽具有流量均匀板，通过设置在所述流量均匀板上的孔对穿过所述流量均匀板的液体进行分流，使得通过所述孔进入到上腔的液体被分流成更多股，更多股的液体对上腔内存放的液体进行推动、搅拌，因此具有更好的推动效果，能够使液体槽中的液体中各种离子均匀分布。

本实用新型涉及半导体生产制备领域，尤其涉及一种液体槽。

背景技术

为了改善存储器件的密度，业界已经广泛致力于研发减小二维布置的存储器单元的尺寸的方法。随着二维(2D)存储器件的存储器单元尺寸持续缩减，信号冲突和干扰会显著增大，以至于难以执行多电平单元(MLC)操作。为了克服2D存储器件的限制，具有三维(3D)结构的存储器件今年来的研究逐渐升温，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。

在3D NAND的制备工艺中，去除栅极线中的氮化硅是关键步骤之一。目前，去除栅极线中的氮化硅采用的是将形成了栅线隔槽的半导体结构放入磷酸箱中、由高温的磷酸对栅线隔槽中的氮化硅进行刻蚀的方法。然而，随着反应的进行，磷酸箱中不同位置的硅浓度不同，磷酸箱中存在局部硅浓度过高的现象。磷酸箱中的局部硅浓度过高，会使得磷酸对氮化硅进行刻蚀的过程中副产物的数量也增多，回沾到栅线隔槽的氧化硅上的氧化物增多，形成大头现象，影响后续处理。

实用新型内容

本实用新型中提供了一种液体槽，能够使液体槽中的液体中各种离子均匀分布。

为了解决上述技术问题，本实用新型中提供了一种液体槽，包括：槽体，用于盛放液体，所述槽体的底部设有若干进水口；设有若干通孔的流量均匀板，所述流量均匀板用于放置在所述槽体内，并将所述槽体所围成的空间沿所述槽体的深度方向分隔为上腔和下腔，待处理物体用于放置在所述上腔，所述进水口位于所述下腔。

可选的，所述进水口处设置有喷嘴。

可选的，所述槽体还设有排水口；所述液体槽还包括：位于所述槽体外的循环管路，所述循环管路至少包括连通的若干进水支管和若干排水支管，所述排水支管的一端与所述排水口连接并导通，所述进水支管的一端与所述进水口连接并导通。

可选的，所述循环管路上设置有增压泵，用于使所述进水口排出的液体的速度大于一预设值。

可选的，所述槽体至少设置有三排进水口。

可选的，其中一排所述进水口位于槽底的中部，另外两排所述进水口关于位于所述中部的一排进水口对称排布。

可选的，相邻两排进水口之间的距离相等，同一排内的进水口等距设置。

可选的，所述流量均匀板设有若干排平行排列的孔，各排所述孔的排列方向与各排所述进水口的排列方向一致。

可选的，所述流量均匀板包括至少十五排孔，每排孔的数目为二十五个以上。

可选的，所述流量均匀板可拆卸地安装在所述槽体上。

本实用新型的液体槽具有流量均匀板，通过设置在所述流量均匀板上的孔对穿过所述流量均匀板的液体进行分流，使得通过所述孔进入到上腔的液体被分流成更多股，更多股的液体对上腔内存放的液体进行推动、搅拌，因此具有更好的推动效果，能够使液体槽中的液体中各种离子均匀分布。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式中的液体槽的结构示意图。

图2为本实用新型的一种具体实施方式中的流量均匀板的结构示意图。

图3为本实用新型的一种具体实施方式中的槽底的俯视示意图。