[实用新型]基于微箔电爆的平面高压开关集成爆炸箔芯片

权利要求书

1.一种基于微箔电爆的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：所述芯片包括基底层(1)、金属层A(2)、塑料薄膜层(3)、金属层B(4)和光刻胶层(5)，所述的基底层(1)中平面高压开关部分作为载体，爆炸箔起爆器部分作为反射背板；所述的金属层A(2)置于基底层(1)之上，其开关部分作为下电极(2-a)，其爆炸箔部分作为过渡区(2-b)、桥区(2-c)、和焊盘(2-d)；所述的塑料薄膜层(3)置于金属层A(2)之上，其开关部分作为绝缘层，其爆炸箔部分作为飞片；所述的金属层B(4)置于塑料薄膜层(3)之上，作为开关部分的诱发元，包括微型桥箔(4-a)、过渡区(4-b)和焊盘(4-c)；所述的光刻胶层(5)置于金属层B(4)之上，其开关部分作为约束层(5-a)，其爆炸箔部分作为加速膛(5-b)。

2.根据权利要求1中所述的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：所述的金属层A(2)和金属层B(4)均包括桥区(2-c、4-a)、过渡区(2-b、4-b)、焊盘(2-d、4-c)，其中过渡区(2-b、4-b)为从两端到中间逐渐收缩并通过桥区(2-c、4-a)连接区域。

3.根据权利要求1中所述的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：所述的过渡区(2-b、4-b)包括梯形或半圆形。

4.根据权利要求1中所述的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：桥区(2-c、4-a)与过渡区(2-b、4-b)之间的夹角在30°～90°之间，所述的桥区(2-c、4-a)与过渡区(2-b、4-b)之间的圆角曲率半径在0.01mm～0.5mm之间。

5.根据权利要求3中所述的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：所述的半圆形过渡区(2-b、4-b)的曲率半径在1mm～10mm之间。

6.根据权利要求1中所述的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：所述的基底层(1)的材料是陶瓷、玻璃、PMMA中的一种。

7.根据权利要求1中所述的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：所述的金属层A(2)和金属层B(4)通过磁控溅射工艺沉积在基底层(1)之上，并通过紫外光刻刻蚀出需要的图形。

8.根据权利要求1中所述的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：所述的金属层A(2)和金属层B(4)中的金属是Au、Ag、Cu、Al、Al/Ni金属导体或合金中的一种。

9.根据权利要求1中所述的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：所述的塑料薄膜层(3)通过物理气相沉积、化学气相沉积、热蒸发、电子束蒸发、旋涂、刮涂方法制备得到，所述的塑料薄膜层(3)层是派瑞林(Parylene)、聚酰亚胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的一种。

10.根据权利要求1中所述的平面高压开关集成爆炸箔芯片，其特征在于：所述的光刻胶层(5)由具有高深宽比图形的光刻胶，所述的光刻胶是SU-8胶、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、掺杂阳离子引发剂的环氧树脂中的一种。